Microsemi Corporation(微半导)是一家全球领先的半导体和系统解决方案供应商,专注于高性能模拟和混合信号集成电路、系统级封装(SiP)及定制设计服务,广泛应用于通信、国防和安全、航空航天、工业和医疗市场。其产品包括整流二极管(如1N4001-1N4007和1N5400-1N5408系列)、肖特基二极管(如1N5817-1N5819和MBR系列)、双极型晶体管(如2N2222A、2N3904和2N3906)以及场效应晶体管(如IRF510和2N7000),这些产品在电源电路、高频整流、放大和开关电路中表现出色,提升转换效率并满足不同应用需求。Microsemi于2018年被Microchip Technology Inc.收购,继续在多个领域推动技术进步。
MaxLinear是一家全球领先的半导体公司,专注于为宽带通信、数据中心、有线和无线基础设施以及智能网络边缘提供创新的模拟、数字和混合信号集成电路(IC)。其产品涵盖宽带通信的有线电视和DOCSIS设备、数据中心的高性能网络接口卡和交换机、4G/5G无线基础设施的射频和光模块、智能设备的无线连接解决方案、高效能电源管理IC、模拟信号处理器、卫星通信的高频放大器和调制解调器,以及汽车电子的信息娱乐系统和ADAS解决方案。MaxLinear以其高性能、高可靠性和创新性,在多个领域推动技术进步,满足客户需求。
NXP恩智浦半导体作为全球半导体行业的领导者,凭借其全面的产品线和创新技术,在汽车、物联网、安全连接和移动设备等多个领域占据主导地位。其核心产品微控制器(MCU)系列丰富多样,从基础到高端应用全覆盖,基于多核架构如ARM Cortex-M系列,具备强劲性能、节能设计、多样接口、高集成度和强大的安全性,广泛应用于汽车电子、物联网、消费电子、工业控制、医疗设备、能源管理和航空航天等多个领域,推动智能设备和系统的发展。
S3A3微控制器系列是瑞萨电子推出的高性能、低功耗产品,专为便携式医疗健身设备设计,搭载48MHz Arm Cortex-M4处理器,具备512KB闪存和96KB SRAM,集成段式LCD控制器、电容式触摸感应单元、USB 2.0全速接口、丰富的模拟和定时外设、电源管理以及高级安全功能,满足智能连接传感器设备对处理速度、用户交互和数据安全的需求。
BBY65系列是一款用于移动通信设备VCO等的高Q超陡峭调谐二极管,具有低电容分散度等特性且采用无铅封装。其参数涵盖电压、电流、温度范围、不同条件下的电容值与电容比、串联电阻等。
Microsemi的1N821至1N829A系列是一组高精度的6.2及6.55伏温度补偿齐纳参考二极管,具备出色的温度稳定性(0.005%/°C)和多种电压选项(6.2V和6.55V),适用于广泛的温度范围(-65°C至+175°C)。这些二极管提供±2%和±5%的电压公差,以及灵活的封装选项,包括DO-35和DO-204AH,使其成为电源、信号处理和测试设备等应用的理想选择。
1N6638、1N6642和1N6643是一系列经过军事认证的无空洞密封开关二极管,以其超快速恢复时间、极低电容和冶金键合结构而著称,适用于高速开关应用,如计算机外围设备和网络接口,同时提供出色的热性能和环境适应性,并有符合RoHS标准的版本可选。
1N6492是一款军用级别的密封肖特基整流器,适用于高效率、低电压和高可靠性的开关电源,具有4安培电流和45伏电压的规格,符合MIL-PRF-19500/567标准,并提供JAN、JANTX和JANTXV级别的产品。它以其极低的正向电压降、高浪涌能力、低恢复电荷和符合RoHS标准的商业级版本而受到青睐。此外,它还具有特定的最大额定值,包括结点和存储温度、热阻、直流阻断电压等,并提供详细的电气特性和封装尺寸信息。
MTI - Milliren Technologies, Inc.的250系列OCXO是高性能频率控制方案,适用于极端温度环境。它具有宽频率、温度、供电电压范围,低老化率、供电电压敏感度、谐波失真,还有多种输出选项等特性,预热和连续功耗低、预热时间短。该系列产品在通信、无线、测试测量、网络同步等领域广泛应用。
1N6101是一款低电容隔离二极管阵列,用于保护多达八个I/O端口免受ESD、EFT或浪涌的影响,具有高击穿电压、低漏电流、低电容和快速开关速度等特点,适用于高频数据线、RS-232/RS-422接口网络、以太网、计算机I/O端口等应用,并符合MIL-PRF-19500/474标准。
1N6073至1N6081系列是由Microsemi生产的军用级超快速恢复玻璃功率整流器,它们以其无空洞密封玻璃封装、三重钝化和内部冶金键合技术而著称,适用于需要高可靠性、快速开关和低正向损耗的应用,如军事设备和开关电源。这些整流器提供3A、6A和12A的额定电流,工作峰值反向电压从50V到150V,具有出色的热性能和浪涌电流能力。
DELTA HCME104610F系列电感器,专为高频应用设计,以精确电感值、低直流电阻、高电流承载能力和宽温度范围(-40℃至125℃)著称,适用于电源管理、无线通信设备、消费电子和汽车电子等多种电子设备,确保高效能和小型化需求。
Princeton Microwave的PmTA-1830-20-3低噪声放大器,频率范围18至30 GHz,提供20 dB增益和±1.25 dB增益平坦度,噪声系数3 dB,输入输出回波损耗均为-10 dB,输出功率至少10 dBm,工作电压12V,电流100mA,连接器为SMA母头,具备50欧姆匹配、内部电压调节、无条件稳定和密封模块等特点,适用于-50°C至100°C的标准工作温度范围。
LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架构的通信处理器,属于LS1系列,专为无风扇、小尺寸的企业级和消费级网络应用设计。它们配备了双Arm Cortex-A7核心,最高频率可达1.2 GHz,支持虚拟化和高性能计算,提供广泛的集成度和能效。这两款处理器还具备先进的安全特性,支持多种工业协议,并且与LS1021A处理器在引脚和软件上兼容。作为NXP EdgeVerse™边缘计算平台的一部分,它们在网络、PCIe、内存控制和安全引擎等方面提供了丰富的功能和扩展性。
Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管,具有1500W的高脉冲功率和快速响应时间,适用于保护电子设备免受感性切换、射频感应或雷击效应的影响。这些产品提供5.5V至185V的工作电压范围,采用密封的DO-13金属封装,并提供符合MIL-PRF-19500/507标准的军事等级选项以及RoHS合规的商业等级。它们广泛应用于ESD、EFT和雷击保护,具有广泛的温度工作范围和高可靠性,是高可靠性应用的理想选择。
Microsemi公司生产的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型号的5瓦特玻璃齐纳二极管是一系列高可靠性产品,适用于军事和商业应用,具有无空隙的密封玻璃封装和内部冶金键合,提供从3.3伏特到390伏特的广泛电压选择,标准公差为±5%,更紧密公差选项为±2%或±1%。这些二极管在-65°C至+175°C的温度范围内工作,能够耗散高达5瓦特的功率,具有优秀的电压调节能力和ESD抗性,且固有辐射硬度,适合极端环境下的应用。
1N5807、1N5809和1N5811是一系列军用级超快速恢复玻璃整流器,具备无空洞密封玻璃封装、四层钝化和内部冶金键合等特性,提供50V至150V的工作峰值反向电压,支持高达125A的正向浪涌电流和6.0A的平均整流输出电流,具有30ns的快速反向恢复时间,适用于军事、航天和高性能开关电源等高可靠性应用领域。
1N5772是一款10引脚陶瓷扁平封装的低电容隔离二极管阵列,设计用于保护多达八个I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影响,具有高击穿电压、低漏电流和低电容特性,适用于高频数据线、RS-232/RS-422接口网络、以太网和计算机I/O端口等应用,并提供符合MIL-PRF19500/474标准的筛选选项。
Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列电流调节二极管是一系列0.5瓦特的器件,提供从0.22毫安到4.7毫安的电流选择,具有10%的标准公差。这些器件以其高源阻抗、内部冶金键合和军事级别的资格而著称,能够在广泛的电压和温度范围内稳定调节电流。它们提供灵活的安装选项,对ESD不敏感,并且具有固有的辐射硬度,适用于需要精确电流控制的电子应用。
LS1012A是一款低功耗处理器,专为电池或USB供电、空间受限的网络和物联网应用设计。它集成了Arm Cortex-A53核心,运行速度达1GHz,功耗仅为1W,支持线速网络性能和多种高速接口。软件上与LS家族设备兼容,属于NXP的EdgeVerse边缘计算平台。特点包括单核1GHz、256 KB L2缓存、16位DDR3L SDRAM、支持高达6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口,以及多种外设和安全功能,封装为211 FC-LGA,9.6x9.6 mm。
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