Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

发布时间:2024-12-23 09:05:11     浏览:367

  SMF182是一款500V N-Channel Power MOSFET,专为满足高电压和中等电流的电力转换需求而设计。它具备7A的连续漏极电流和850mΩ的导通电阻,确保了在各种应用中的高效能和低功耗。此外,SMF182还内置了快速恢复二极管,进一步优化了电力转换的效率。

Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

  关键特性

  连续漏极电流 (ID):7A

  导通电阻 (RDS(on)):850mΩ

  漏源电压 (VDSmax):500V

  栅源电压 (VGSS):±20V(连续)

  连续漏极电流 (ID25):7A

  脉冲漏极电流 (ID(PULSE)):28A(脉冲宽度Tp受TJmax限制)

  功率耗散 (PD):163W

  结温范围,工作/存储 (TJ/TSTG):-55°C至150°C

  封装:TO-254 密封封装

  电气性能

  SMF182在电气性能上同样出色。它具有1.5V的体二极管正向电压和700ns的反向恢复时间,这些特性使得它在开关应用中表现出色。此外,其栅阈值电压在2至4V之间,确保了稳定的开关性能。

  热管理

  在热管理方面,SMF182的热阻为0.767°C/W,这意味着它能够在高功率耗散下保持较低的工作温度,从而提高了产品的可靠性和寿命。

  应用领域

  SMF182适用于多种电力转换应用,包括但不限于电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路。其高电压和中等电流的特性,使其在这些领域中表现出色。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展

推荐资讯

  • Renesas射频混频器
    Renesas射频混频器 2022-07-15 17:13:31

    Renesas​射频混频器系列产品采用 Zero-Distortion™ 专利技术极大地提高了接收器在所需信噪比(SNR)下可以承受的最大信号电平(IM3音调)。这些设备可以扩展,以便可以在各种模式下工作,显著降低功耗,同时仍保持高线性度

  • 88E1548-A1-BAM2C000以太网 IC Marvell
    88E1548-A1-BAM2C000以太网 IC Marvell 2023-06-28 17:01:45

    Marvell​最新升级88E1548-A1-BAM2C000单片器件在单独单片ic上包括4个单独的千兆以太网收发器。各个收发器在CAT5双绞线电缆上实行1000BASE-T和100BASE-TX全双工或半双工以太网接口具备CAT3中所有物理层性能、对电缆线4和5实行10BASE-检测全双工或半双工以太网接口中的所有物理层性能。

在线留言

在线留言