Q-Tech 200℃高温晶振｜井下钻井与地热设备时钟应用

2026-08-04 14:27:51

介绍Q-Tech QTCH230、QTCH350和QTCH570高温晶振在井下钻井、随钻测量、数据记录及地热监测设备中的应用，并说明频率、封装、温度和稳定度选型方法。

QTCV356与QTCV576区别｜3.2×5mm和5×7mm VCXO选型

2026-08-04 14:16:11

对比Q-Tech QTCV356与QTCV576的封装尺寸、频率范围、输出逻辑、APR及抖动性能，了解3.2×5mm和5×7mm压控晶振如何选择。

QTCT220、QTCT230与QTCT236区别｜Q-Tech微型TCXO选型

2026-08-04 14:04:28

对比Q-Tech QTCT220、QTCT230与QTCT236微型TCXO的封装尺寸、频率范围、输出方式、稳定度及功耗，快速选择Clipped Sine、CMOS、LVDS或LVPECL温补晶振。

QTCT220、QTCT230与QTCT236区别 | Q-Tech微型TCXO选型

2026-08-04 13:52:44

对比Q-Tech QTCT220、QTCT230与QTCT236微型TCXO的封装、频率范围、输出逻辑、供电和稳定度，了解Clipped Sine、CMOS、LVDS及LVPECL温补晶振如何选择。

QTCC576与QTCC578区别 | 5×7mm LVDS/LVPECL晶振选型

2026-08-03 16:15:28

对比Q-Tech QTCC576与QTCC578的输出逻辑、频率范围和相位抖动。QTCC576支持LVDS及LVPECL，QTCC578面向100–250MHz低抖动LVDS时钟应用。

QTCH230 32.768kHz高温RTC晶振 | 200℃ Q-Tech振荡器

2026-08-03 16:04:51

Q-Tech QTCH230是一款2.5×3.2mm高温32.768kHz CMOS晶体振荡器，可支持最高+200℃工作温度，适用于井下钻井、地热设备、数据记录和高温RTC时钟系统。

QT25HF与QT25VHF区别 | Q-Tech LWO与VCLWO振荡器选型

2026-08-03 15:53:01

对比Q-Tech QT25HF与QT25VHF的调谐方式、APR、相位噪声、控制电压及应用区别，了解固定频率LWO和压控VCLWO应如何选择。

Q-Tech QT25HF低相噪振荡器 | 400MHz–1.3GHz Lamb Wave XO

2026-08-03 15:46:28

Q-Tech QT25HF是一款400MHz–1.3GHz混合式Lamb Wave低相噪振荡器，提供3.3V、5V和12V供电，具有9fs典型抖动、低振动灵敏度和宽温工作能力。

D1011UK与D5011UK区别｜28V与50V SO8 RF MOSFET选型

2026-08-03 09:32:26

对比Semelab D1011UK与D5011UK的工作电压、击穿电压、频率、电流能力及电容参数。两款均为10W单端SO8 RF MOSFET，D1011UK适合28V系统，D5011UK适合50V射频放大器。

D5028UK与D5030UK区别｜50V 300W和400W RF MOSFET选型

2026-08-03 09:23:02

对比Semelab D5028UK与D5030UK的输出功率、增益、效率、工作频率、内部结构及生命周期。D5028UK为50V、300W器件，D5030UK规格书标称50V、400W，适用于大功率RF放大器和VHF/UHF通信设备。

D1028UK与D1030UK区别｜300W与400W Semelab RF MOSFET选型

2026-07-31 14:27:12

对比Semelab D1028UK与D1030UK的输出功率、效率、增益、封装、热阻及应用差异。两款均为28V、1–200MHz推挽RF MOSFET，D1028UK输出300W，D1030UK输出400W。

D5011UK 10W 50V 500MHz RF功率MOSFET｜Semelab射频功率管

2026-07-31 14:15:02

D5011UK是Semelab推出的10W、50V单端RF功率MOSFET，采用SO8封装，关键射频参数在500MHz条件下测试，最低增益13dB、最低效率50%，适用于HF、VHF及UHF通信放大电路。

D1030UK 400W 28V RF功率MOSFET｜Semelab射频功率管

2026-07-31 14:03:43

D1030UK是Semelab推出的400W、28V推挽式RF功率MOSFET，应用频率范围1–200MHz，在175MHz测试条件下提供最低13dB增益和50%效率，适用于射频功率放大器、发射机及工业RF设备。

Marvell 88E6390 11端口千兆工业以太网交换芯片

2026-07-30 14:45:27

介绍Marvell 88E6390 11端口工业以太网交换芯片，集成8个千兆PHY、两路2.5G SerDes及RGMII接口，支持IEEE 1588v2、TSN和AVB，适用于工业交换机、嵌入式网关及实时网络设备。

Marvell 88Q2110、88Q222xM与88Q5152汽车以太网PHY及交换芯片选型

2026-07-30 14:35:58

介绍原Marvell、现Infineon BRIGHTLANE 88Q2110、88Q222xM与88Q5152汽车以太网芯片，比较100/1000BASE-T1、RGMII、SGMII、MACsec、TC10、TSN及工作温度，帮助ADAS、区域控制器和中央网关完成PHY及交换芯片选型。

Marvell 88E6361与88E6390工业以太网交换芯片区别及选型

2026-07-30 14:21:08

对比Marvell 88E6361与88E6390工业以太网交换芯片的端口数量、千兆PHY、2.5G SerDes、RGMII、L3路由、IEEE 1588v2及TSN功能，帮助工业交换机、嵌入式网关和SoC端口聚合设备完成选型。

Marvell 88E6390、88E6390X与88E6393X 11端口千兆/10G以太网交换芯片对比

2026-07-30 14:11:27

对比Marvell 88E6390、88E6390X与88E6393X 11端口以太网交换芯片，介绍千兆PHY、2.5G/10G高速接口、XAUI、RXAUI、XFI、USXGMII、TSN及IEEE 1588v2等功能，帮助工业交换机、嵌入式网关和企业网络设备完成选型。

Lattice ECP5与ECP5-5G区别｜3.2G与5G SERDES选型

2026-07-29 14:35:07

对比Lattice ECP5与ECP5-5G在SERDES速率、逻辑容量、接口协议、核心电压和型号命名方面的区别，并介绍LFE5U、LFE5UM和LFE5UM5G系列选型。

ICE40UP5K-SG48I 5280 LUT低功耗FPGA参数与应用

2026-07-29 14:20:43

介绍Lattice ICE40UP5K-SG48I低功耗FPGA的5280个逻辑单元、1 Mbit SPRAM、8个DSP、39个用户I/O及48-QFN封装，并分析其在传感器管理、边缘AI、语音识别和接口扩展中的应用。

Lattice​ LCMXO2-1200HC、LCMXO2-2000HC与LCMXO2-4000HC参数对比及选型

2026-07-29 14:06:57

对比Lattice LCMXO2-1200HC、LCMXO2-2000HC与LCMXO2-4000HC的LUT、EBR、用户Flash、PLL、I/O和封装差异，并介绍三款MachXO2 FPGA的型号选择方法。