DEI1606-MES-G浪涌抑制模块SiC FET电流限制保护器航空级雷击防护器件

2026-04-01 09:15:26

DEI1606-MES-G 是一款基于 SiC FET 技术的高性能浪涌电流抑制模块，具备双向保护能力、低阻抗工作特性和高能量浪涌吸收能力，符合 DO-160 航空雷击防护标准，广泛应用于航空电子、通信系统及高可靠性电子设备的电源与信号防护领域。

ART2K0FE,ART2K0FES,ART2K0FEG Ampleon 2KW RF功率晶体管

2026-03-31 08:56:40

Ampleon 推出的 ART2K0FE、ART2K0FES 和 ART2K0FEG专为高可靠性、高功率射频应用而设计。该系列器件在 1 MHz 至 400 MHz 的宽频范围内，提供约 2kW 的输出功率，工作电压可达 65V，并具备 高耐受性、高效率（69%–72%）、高增益（约 28 dB）和优良的热稳定性，适用于工业、广播和通信等严苛环境中的高功率射频功放系统。

Connor-Winfield D75F TCXO晶振±0.5ppm低抖动5x7mm振荡器

2026-03-27 09:00:41

Connor-Winfield D75F TCXO晶振，±0.5ppm高稳定性，<1ps低抖动，适用于5G通信、工业控制及高精度频率系统。

OCXO vs TCXO vs VCXO全解析：频率控制器件选型指南

2026-03-26 09:10:11

全面解析OCXO、TCXO和VCXO的区别、优缺点及应用场景，帮助工程师快速选择合适的频率控制解决方案。

Bliley N47X/NV47X OCXO晶振|高稳定恒温晶振10MHz~100MHz低相噪

2026-03-25 09:38:05

Bliley N47X / NV47X OCXO晶振，提供10MHz~100MHz高稳定频率输出，支持HCMOS/正弦波，低相噪、ppb级稳定度，适用于通信、测试及军工系统。

QTCH500,QTCH510,QTCH550高温晶振|DIP-8全金属封装|+200°C高可靠工业/军工级时钟振荡器

2026-03-17 08:53:29

QTCH500系列是一款专为极端高温环境（最高+200°C）设计的高可靠性晶体振荡器，采用全金属密封结构和高稳定性石英晶体技术，具备长期稳定工作能力。其核心电气性能包括频率范围32.768kHz至48MHz，供电电压可选1.8V至5.0V，频率稳定度最高可达±100ppm，启动时间≤10ms，老化率±5ppm/首年，并支持多种CMOS逻辑输出。产品采用DIP-8全金属气密封装，广泛应用于军工、航空航天、工业控制、油气井下设备、汽车电子等高可靠性领域，是高温环境下系统的核心时钟源。

DEI1604-MES-G浪涌阻断模块|航空电子级SiC限流浪涌保护解决方案

2026-03-16 09:54:41

DEI1604-MES-G 是一款基于 SiC FET 技术的高可靠性浪涌阻断模块，集成限流与保险丝保护，适用于航空电子系统、雷电浪涌防护与 DO-160 标准应用场景，与 TVS 二极管配合可构建高性能浪涌防护电路。

Semelab D1040UK高功率射频MOSFET晶体管

2026-03-13 09:09:52

D1040UK 是由 TT Electronics 旗下 Semelab 制造的 VHF 频段高功率射频 MOSFET，采用双芯片并联结构和陶瓷法兰封装，专为 88–108 MHz 频段的高功率射频放大应用设计。其典型性能参数包括约 400W 的输出功率、28V 工作电压、≥16 dB 的功率增益以及约 65% 的效率，具备高功率密度、优异射频线性度和良好散热能力。该器件适用于广播发射机、无线通信系统、专业无线电设备及军工/工业级射频系统等需要高可靠性连续工作的场景。

Broadcom PEX90144|144通道PCIe 6.0高速交换芯片——面向AI数据中心与HPC的核心互连引擎

2026-03-10 09:02:55

Broadcom PEX90144 是博通基于 PCIe 6.0 规范开发的 144 通道高速交换芯片，采用 5nm 工艺制程，具备高达 64 GT/s 的单通道速率和向下兼容性，能够灵活划分端口，支持 AI 数据中心、高性能计算及大规模存储等场景，通过非阻塞交换架构实现高带宽、低延迟的设备互联，为多加速器、高速网络和存储提供关键互连枢纽。

Vishay VJ0603A101KXCAP多层陶瓷电容器(100pF / 200V)

2026-03-05 09:03:24

Vishay 公司推出的 VJ0603A101KXCAP 是一款 非极性多层陶瓷电容器（MLCC），采用 0603（1608公制）贴片封装，电容值为 100 pF，容差为 ±10%，额定直流电压为 200 V，使用温度稳定的 C0G（NP0） 介电材料，工作温度范围为 −55°C 至 +150°C，符合 RoHS 环保标准，以 带卷盘包装 形式运输，适用于通用电子设备中的滤波、定时、阻抗匹配等表面贴装（SMD）应用。

Ampleon CLS3H3135L-700 S波段高功率GaN-on-SiC射频功率晶体管

2026-03-05 09:00:31

Ampleon 推出的 CLS3H3135L-700 是一款专为 S波段长脉冲雷达应用 设计的高功率 GaN-on-SiC HEMT 射频功率晶体管，工作频率覆盖 3.1 GHz – 3.5 GHz，提供典型 700 W 输出功率，具有约 13.2 dB 增益和 ~57% 效率，采用 50 V 工作电压与 SOT502A 封装，支持最高 300 μs 长脉冲（占空比10%），主要应用于雷达发射链路、ERP/CHIRP 雷达系统以及空中交通控制、气象、军事监视等领域的高功率射频环境。

Broadcom PEX8609高性能PCIe交换芯片8-Lane Gen2多端口互连

2026-03-04 09:15:42

博通（Broadcom）的PEX8609是一款属于ExpressLane™系列的多通道PCI Express交换芯片（Switch IC），它通过支持最多8条PCIe通道和最多8个端口的可配置交换，在计算系统内部高效管理和分配PCIe带宽。

Semelab D2216UK 15W 12.5V DMOS射频功率晶体管

2026-03-03 08:57:26

Semelab D2216UK 是一款采用推挽结构的高性能 TetraFET DMOS RF 功率晶体管，专为 1 MHz 至 1 GHz 的宽带射频功率放大应用设计。典型应用包括 HF/VHF/UHF 通信设备、宽带功放及工业无线系统。

Minco AS5140/AS5141系列工业级带热套RTD温度传感器

2026-03-02 08:58:29

Minco AS5140（单元件）和AS5141（双元件）铂RTD温度传感器是专为液体流动和高压工况设计的快速、精确测温组件，内置保护热套。产品通过铜合金尖端敏感设计和弹簧压紧结构提升热传导效率与响应速度，结合高精度铂RTD元件确保优异重复性和线性。

Marvell 88E6390X 11端口以太网交换机芯片

2026-02-26 09:12:13

Marvell Link Street® 88E6390X 是一款高度集成的11口千兆以太网交换芯片，专为SOHO/SMB、工业及轻管理应用设计。该芯片主要应用于托管/非托管型千兆交换机、路由器以及对时间确定性有严格要求的工业网络环境。

Focus Microwaves手动谐波调谐器MHMT-308-2H3H(0.8–2.4GHz)

2026-02-26 09:10:04

MHMT-308-2H3H是Focus Microwaves推出的一款高性能手动谐波调谐器，专为Class F射频功率放大器优化设计。该产品支持标准连接器（如APC-7、N型）及高功率版本（7/16连接器，200W），谐波VSWR性能优异（2fo >40:1，3fo >20:1），插入损耗低（<0.2dB），适用于高功率射频模块的研发、测试和生产优化。

Ampleon ART2K5TFUS/ART2K5TFUG 2500W LDMOS功率晶体管

2026-02-25 10:00:39

Ampleon ART2K5TFUS/G 是一颗“扛得住 65:1 VSWR、输出 2.5 kW、效率近 75 %”的宽带 rugged LDMOS，特别适合高功率、高反射、高可靠性场合。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

2026-02-25 09:57:09

Onsemi NTTFS6H860NL 是一款80V耐压、30A电流的N沟道功率MOSFET，采用超小型3.3mm×3.3mm封装，在极低导通电阻（最低16.5mΩ）下实现高功率密度，特别适用于空间受限的高效能电源管理场景，如DC-DC转换、电机驱动和快充设备。

Vishay 597D337X0020H2T 超低 ESR 固钽电容

2026-02-06 08:41:57

Vishay 597D系列是一款高性能的固钽贴片电容器，以超低ESR（最低6 mΩ）、高容量-电压密度（最高2200 µF / 75 V）、高可靠性（100%通过浪涌电流筛选）为核心特点，适用于航空、军工及高端工业等对体积、寿命和纹波电流要求苛刻的领域。

Semelab D2002UK射频功率MOSFET晶体管

2026-02-05 09:04:10

D2002UK 是一款由 Semelab（TT Electronics）生产的 N 沟道射频功率 MOSFET，采用 DP 陶瓷法兰封装，适用于中低功率、宽频带（DC 至 1 GHz）的射频放大与发射场景，典型输出功率约 5 W，功率增益约 13 dB，具备良好的散热性能和可靠性，常用于 VHF/UHF 功率放大器、无线通信发射模块、工业射频设备及测试仪表等应用。