Connor-Winfield的6引脚表面贴装VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三种型号,频率范围均为2MHz至100MHz,频率稳定性分别为±25ppm、±50ppm和±20ppm。
本文介绍了Rogers公司高频电路材料中铜箔的类型、表面粗糙度及其对性能的影响。Rogers提供多种铜箔,包括电沉积铜箔、轧制铜箔、电阻铜箔和反转处理铜箔,以满足不同应用场景需求。铜箔表面粗糙度越高,导体损耗越大,影响信号传输效率。Rogers通过优化工艺降低粗糙度,提高高频电路性能。其高频材料广泛应用于航空航天、通信等领域,为现代高频电子技术发展提供支持。
Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶体管,专为2400 MHz至2500 MHz频率范围内的烹饪、工业、科学和医疗应用设计。它具有高效率、优秀的坚固性和宽带操作能力,内部输入匹配,无需外部匹配网络,且符合RoHS合规性。在VDS = 50V,VGS = -5V,环境温度25°C的类AB/类C应用电路中,该晶体管在连续波(CW)条件下输出功率为320W,增益为14dB,效率为74%;在CW脉冲条件下输出功率为350W,增益为14dB,效率为75%。它采用SOT1214B无耳法兰陶瓷封装,具有良好的热特性和电气特性,适用于RF功率放大器。
Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118标准的军用级开关二极管,认证等级有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大额定值(@25°C)包括工作和存储温度均为 -65°C至 +175°C,浪涌电流(正弦波,8.3毫秒)2A,总功率耗散500mW,最大工作电流200mA,直流反向工作电压180V。设计数据方面,采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35轮廓的密封玻璃封装,引线材料为铜包钢,表面处理是锡/铅,热阻抗最大70°C/W,极性为带环的阴极端。
Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪声放大器频率6 - 20 GHz,小信号增益≥40 dB,中频段噪声系数2.5 dB,50Ohm输入输出匹配,有内部调节和偏置排序,无条件稳定,密封模块,工作温度 -50°C至100°C。
RO4000® 系列高频电路材料是玻璃增强型碳氢化合物和陶瓷(非PTFE)层压板,专为性能敏感、高容量商业应用设计,能提供卓越高频性能与低成本电路制造,可用标准FR-4工艺制造。其中RO4003C™等部分层压板可与Ticer TCR薄膜电阻箔包覆,有特定箔厚与电阻值,1oz厚铜箔可特殊订购。
Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振荡器实现低功耗运行,采用调谐叉设计,具备最快启动时间与紧凑频率稳定性,专为超低电流(典型55 µA)和快速启动(典型2 ms)应用打造,能在高达 +200°C高温运行且抗冲击性强。其主要特点有高温操作、超低电流、快速启动、高冲击抗性、低老化、CMOS输出等多项优势,产品设计制造于美国且提供全面军事测试。该振荡器适用于工业领域多种设备,规格参数涵盖频率、电源电压、校准容差、频率稳定性、输出负载、老化、冲击、振动及工作温度范围等多方面指标 。
Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840、LS841、LS842是低噪声、低漂移、低电容的单片双N沟道JFET放大器,专为高性能模拟信号处理设计。其关键特性包括超低噪声、超低漏电流、低温度漂移、低偏移电压、宽温度工作范围、高可靠性;电气性能方面,有特定的最大电压和电流承受能力、最大功耗,具备高跨导、高共模抑制比、低噪声系数;提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多种封装选项;适用于音频放大、精密测量设备、传感器信号调理等高精度高可靠性应用。
Vishay 109D系列湿式钽电容器是面向工业、汽车和电信应用设计的高性能电容器,采用烧结阳极TANTALEX™技术,有轴向通孔引脚,提供标准锡/铅(SnPb)和100%锡(符合RoHS标准)两种端子选项,能在 -55°C至 +125°C宽温度范围稳定工作,还给出了应用领域及订购指南 。
Microsemi公司生产的军用级别标准恢复整流二极管JANTX1N5552,属JEDEC注册的1N5550至1N5554系列,适用于高可靠性应用场合。其性能参数涵盖结点和存储温度、热阻等多项指标。主要特点有密封玻璃封装、四层钝化技术、内部冶金键合,符合军用标准且有RoHS合规商业级版本,是标准恢复5A整流器,具备高前向浪涌电流能力等多种优势。应用领域广泛,包括军事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器应用场景。封装类型有通孔封装和表面贴装封装 。
L1807调谐器采用Focus Microwaves专利技术M(Multi-purpose tuners),用两个宽频带探头可同时独立控制两个谐波频率反射系数的幅度和相位,广泛应用于高功率/效率射频放大器设计等高级应用,能控制谐波阻抗生成稳健晶体管行为模型、帮助了解设备表现,还可预匹配阻抗、降低驱动负载功率;其频率范围0.7 - 18GHz,连接器为N型、APC-7,有相应高电压驻波比、谐波调优驻波比等参数,最大功率427W,重复性最小-40dB/典型-50dB,重57lbs,尺寸29.081*27.400,另有性能图表。
Q-TECH生产的QTCV576系列是低轮廓的5 x 7mm微型SMD VCXOs,频率范围1.000MHz - 156.250MHz,采用陶瓷封装、镀金接触垫,支持多种逻辑类型,供电电压有3.3Vdc和5.0Vdc,工作温度-40ºC至+85ºC,有三态输出,提供基本模式和第三泛音设计,可进行军事筛选测试且环保合规;应用于低电压设备、军用弹药系统、仪器设备、网络同步及微处理器时钟等领域,还有订购信息。
DELTA HCME1211F电感器
Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116标准的军用级开关/信号二极管,采用陶瓷体结构、表面贴装UB封装,具有低电容、开关速度快等特性,提供多种极性且有JAN、JANTX和JANTXV级别认证并符合RoHS标准;适用于高频数据线、RS-232和RS-422接口网络等多种应用;有明确的最大额定值(如结点和存储温度-65至+200°C等)和电气特性(如正向电压、反向恢复时间等);机械方面外壳为陶瓷,端子为镍底层上的金镀层,重量小于0.04克。
Connor-Winfield PBxxx系列是5.0x7.0mm表面贴装、LVPECL输出逻辑、固定频率晶体控制振荡器(XO),3.3V供电,有使能/禁用功能,适用于需紧密频率稳定性、宽温范围和低抖动应用;输出频率122.88 - 170 MHz,不同型号总频率容差、操作温度范围有别,频率与供电电压关系为±0.5 ppm,供电电流40 - 50 mA,抖动、启动时间有具体指标,绝对最大额定值涉及存储温度等;具备多种特性,如3.3Vdc操作、低抖动等,且符合RoHS合规/无铅,可用于以太网参考时钟、高速数据转换等,还有订购指南。
Renesas S7G2微控制器组是高性能微控制器,核心性能强,搭载240 MHz的Arm Cortex-M4核心等;内存丰富,有多种类型及相关功能;连接性佳,配备多种接口;模拟功能、定时器多样;支持多种加密算法保障安全;具备系统和电源管理功能;有人机界面相关功能;多时钟源;通用I/O端口多达172个;工作电压2.7至3.6 V,工作温度范围为 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C,有多种封装选项,适用于高性能、计算密集型、网络控制等多种应用 。
ARIZONA Capacitors W90系列额定电压范围为3kVDC至150kVDC,电容值最高可达2.000 μF,标准容差±10%;工作温度范围(G10外壳材料)按不同降额情况有所不同,全额定温度时为 -55°C至60°C,30%降额时为 -55°C至85°C,50%降额时为 -55°C至105°C,75%降额时为 -55°C至125°C;绝缘电阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下损耗因子小于0.6%,经过130%额定电压1分钟测试,生产流程符合ISO 9001:2015认证,符合MIL-STD-202测试标准,可按需符合ROHS标准。
PESD24VL2BT是NXP公司的低电容ESD保护设备产品,采用SOT23封装,是低电容双向双ESD保护二极管,用于保护两条信号线免受ESD或瞬态电压损坏。其特性包括两条线路ESD保护、超低漏电流、350W最大峰值脉冲功率、高达23kV的ESD保护、低钳位电压等,符合相关标准;应用领域涉及计算机和外设、通信系统、音频视频设备、便携式电子设备、手机及附件、SIM卡保护等。
PDI VN04系列是烤箱控制晶体振荡器(OCXO),能在苛刻环境下确保精确频率,具有超低相位噪声、高振动环境表现出色及采用双重密封石英晶体等特点,可提供定制频率,且公司提供快速样品服务、大规模生产能力和有竞争力的定价;产品主要规格包括尺寸、频率范围、输出类型等多方面参数,还给出了频率稳定性、频率调整、电源功耗、输出电压、负载、相位噪声等具体指标。
iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生产的FPGA和传感器管理器,专为超低功耗移动应用(如智能手机、平板电脑等)设计,包含与移动传感器和应用处理器接口的集成块。其特点包括灵活逻辑架构(有640或1K查找表两种设备)、超低功耗(40纳米低功耗工艺,待机电流35微安)、嵌入式和分布式存储等;应用领域涉及多传感器管理、IR遥控等;技术规格方面,不同型号逻辑单元数量不同,均有14个EBR内存块等,封装有16球WLCSP和36球ucBGA两种选项。
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