PDI VN04系列恒温晶体振荡器(OCXO)
发布时间:2025-01-06 09:11:27 浏览:819
Wi2Wi(PDI) VN04系列是一款烤箱控制晶体振荡器(OCXO),它在最苛刻的环境下也能确保精确的频率。这款产品具有超低相位噪声、在高振动环境中表现出色,并且采用了双重密封的石英晶体。VN04系列还可以提供定制频率,以满足不同客户的需求。PDI公司为客户提供快速的样品服务、大规模生产能力和具有竞争力的定价。
以下是VN04系列产品的主要规格:
尺寸:20.60mm x 13.00mm x 8.00mm
频率范围:10.000MHz至20.000MHz
输出类型:TTL/CMOS(C),LVCMOS(O),正弦波(W)
频率稳定性:
温度变化(最大值):±5.0至±100 PPB
电源电压变化(最大5%变化):±2.0 PPB
负载变化(最大10%变化):±2.0 PPB
年老化(最大值):±200 PPB
校准:在+25°C下开机3分钟后的最大值未指定
工作温度范围:根据选项而定
存储温度范围:未指定
频率调整:
频率调节(最小值):5500 PPB
电压控制范围:0.0至Vcc
斜率:单调且正向
线性度(最大值):10%
电源功耗:
开机3分钟后的最大值:未指定
25°C下的稳态最大值:1.5%
输出电压:
TTL/CMOS或LVCMOS:3.3至5.0V
正弦波:0.0至6.0 dBm
负载:
TTL/CMOS或LVCMOS:15 pF
正弦波:50Ω
相位噪声(典型值):
@1Hz:-90 dBc/Hz
@10Hz:-120 dBc/Hz
@100Hz:-140 dBc/Hz
@1kHz:-150 dBc/Hz
@10kHz:-150 dBc/Hz
订购指南:
更多Wi2Wi(PDI) 晶振晶体相关产品信息可咨询立维创展。
相关推荐:
推荐资讯
Ampleon公司为国防通信和电子对抗等场景提供硅横向双扩散金属氧化物半导体(Si LDMOS)和氮化镓碳化硅高电子迁移率晶体管(GaN-SiC HEMT)两种晶体管技术,对比了其电压范围、适用频段、典型功率等特性及优势场景,还分别列出了Si LDMOS和GaN-SiC HEMT系列型号的参数等信息,Ampleon是射频和功率半导体解决方案提供商,产品适用于多领域,深圳市立维创展科技有限公司可分销其产品。
Delta的HCME1012(F)系列电感器在电子设计中发挥关键作用,适用于电源管理、信号过滤等领域。该系列提供70 nH至330 nH的电感值,低直流电阻(33 mΩ)、高饱和电流(178 A),工作温度范围宽(-40℃至125℃),精度±10%至±15%。其紧凑尺寸(10.0x6.0~6.2x12.0mm)和严格的质量控制确保了在多种应用中的高效率和可靠性。
在线留言