NXP S32K39/37/36微控制器：电动汽车电气化应用

2025-05-09 08:59:47

NXP的S32K39/37/36系列是专为电动汽车设计的微控制器，具备高性能计算（支持多电机控制及AI算法）、ASIL D安全认证、丰富外设（如TSN以太网、多通道ADC/CAN）和宽温工作特性（-40°C至125°C），适用于电驱系统、BMS及区域架构，提供两种紧凑封装（289 MAPBGA/176 LQFP），集成闪存达6MB并支持硬件级功能安全。

Microsemi 2N6782 N沟道MOSFET场效应晶体管

2025-05-08 09:04:36

Microsemi 2N6782是一款N沟道MOSFET，具有100V漏源电压(Vds)和±20V栅源电压(Vgs)的耐压能力，在25°C时连续漏极电流达3.5A（100°C时为2.25A），最大功耗15W。其导通电阻低至0.6Ω（Vgs=10V时），工作温度范围-55°C至+150°C，具备100V漏源击穿电压和2-4V的栅极阈值电压。动态特性方面，栅极电荷8.1-40nC，开关延迟15-45ns，适用于高频开关场景。该器件特别适合电源管理、电机驱动及逆变器等需要高压大电流处理的电子系统，兼具高效能和快速响应特性。

Broadcom BCM56224企业级以太网交换芯片

2025-05-08 08:59:19

Broadcom的BCM56224是一款28端口高性能以太网交换芯片，适用于企业及SME网络，支持独立/堆叠配置。核心配置包括24个10/100/1000Mbps端口和4个2.5Gbps上行端口，集成32位MIPS处理器，支持线速L2/L3交换、IPv6及硬件级DoS防护。具备8级CoS队列优化流量，通过HiGig™技术实现CAT-7电缆堆叠，单芯片集成CPU降低系统成本。典型应用于企业千兆接入、刀片服务器及数据中心接入层，优势在于高集成度（减少外部组件）、硬件级安全、灵活堆叠扩展及IPv6未来兼容性。

Ampleon射频功率放大器在5G中的独特优势

2025-05-07 09:12:45

Ampleon的射频功率放大器通过LDMOS/GaN技术（如GaN高频高功率特性）实现5G关键性能，漏极效率达62%，兼具宽带操作与高线性度，显著提升信号质量；设计上采用紧凑封装与全集成Doherty方案，优化空间与能效；应用覆盖700MHz-5.0GHz，支持宏基站、小基站及大规模MIMO，输出功率16W扩大覆盖，且引脚兼容性降低开发成本，全面满足5G对高性能、高集成与多场景的需求。

JANTX1N981B-1军用级齐纳二极管Microsemi

2025-05-06 09:37:20

JANTX1N981B-1是一款军用级齐纳二极管，齐纳电压68V（±2%精度），最大功耗0.5W，采用DO-35玻璃封装，具有低动态阻抗（185Ω/105Ω）和良好温度稳定性（±0.097%/°C），适用于军事/航空航天领域的电压调节、参考电压源及过压保护等高可靠性场景。

Vishay 594D226X9020C2T钽固态电容器

2025-04-29 09:01:23

Vishay 的 594D226X9020C2T 钽固态电容器是一款高性能小型化元件，具有22μF电容值、20V耐压和125°C耐温能力，容差±10%，尺寸仅7.1×3.2×2.5mm。其特性包括宽温工作范围（-55°C至+125°C）、低ESR（30-3500mΩ）和湿度敏感度2a级，适用于工业、汽车及航空航天等高可靠性表面贴装场景，电容覆盖1μF-1500μF，电压支持4-50V。同系列提供多种容差和电压选项。

Q-Tech QT4207SNM-60.000MHz超小型恒温晶振OCXO

2025-04-24 09:06:37

QT4200系列是一款专为空间应用设计的超小型恒温晶体振荡器（OCXO），尺寸50.8×43.18×19.05mm，重量100克，支持1MHz-125MHz频率输出，具有±200PPB温度稳定性（-40°C至+75°C），抗辐射能力达100kRad，相位噪声低至-160dBc/Hz（10kHz偏移），提供正弦波/HCMOS输出（0dBm至+9dBm），适用于卫星、航天器及高精度测量系统。

Marvell DX1508,DX1518,DX1528,DX1538,DX1548工业物联网(IIoT)以太网交换机

2025-04-22 09:21:31

Marvell® Prestera® DX1500系列是一款专为工业物联网(IIoT)设计的低功耗智能多层以太网交换机，通过全面支持时敏网络(TSN)协议、高精度时序同步及HSR/PRP冗余标准，实现IT与OT融合的实时通信。该系列提供5种型号（如12端口的DX1508至10G速率的DX1548），具备流量整形、帧抢占、安全加密（MACsec）、工业级宽温（-40°C至+85°C）等特性，并集成Arm Cortex CPU和智能遥测功能，适用于严苛工业环境下的高可靠、低延迟数据传输与边缘计算需求。

Statek CX16VSCSM1-32.768K,100/I,9pF表面贴装石英晶体32kHz-180kHz

2025-04-21 09:39:30

Statek CX16V是一款高精度调谐叉晶体，频率32kHz-180kHz，采用微型陶瓷封装，具有低功耗（≤0.5μW）、高稳定性（老化率≤2ppm/年）和强抗振性（可承受5000g冲击）。适用于医疗植入设备、航空航天等高可靠性领域，工作温度范围达-55°C至+125°C。

DEI1049八通道ARINC 429差分接收器

2025-04-21 09:33:02

DEI1049是一款专为ARINC 429总线设计的8通道差分接收器，具有高抗干扰性和故障保护能力，支持5V或3.3V供电，输入共模电压±20V，内置2V迟滞抑制噪声，耐受115V交流短路并符合DO-160 Level 3雷电防护标准。其电气参数包括逻辑输入电平±6.5V至±13V，TTL/CMOS兼容输出，工作温度-55°C至+125°C，适用于航空电子、工业高噪声环境和测试设备。

iNRCORE 1000B-5006,1000B-5006X变压器模块

2025-04-18 09:24:55

iNRCORE的1000B-5006和1000B-5006X是专为千兆以太网（1000BASE-T）设计的高性能变压器模块，符合IEEE 802.3标准，具有低插入损耗、高共模抑制比和坚固的环氧树脂封装（耐235°C高温）。标准版工作温度-40°C至+85°C，扩展版（1000B-5006X）支持-55°C至+125°C，绝缘耐压达1500Vrms，尺寸紧凑（0.53"×0.61"×0.039"），适用于交换机、路由器、工业通信及数据中心等严苛网络环境。

Ampleon CLF3H0035-100宽带射频功率GaN HEMT晶体管 现货

2025-04-17 09:31:20

Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是两款100W宽带射频功率GaN HEMT晶体管，工作频率覆盖DC至3.5GHz，适用于通信、雷达等高功率射频应用。这两款器件在100W输出时漏极效率达57%，采用热增强封装确保散热性能，具有高可靠性、坚固性和宽带特性，同时符合RoHS环保标准，适合连续波和脉冲工作模式。

Princeton Microwave PmT-F-1000 KA波段带阻滤波器

2025-04-16 09:07:49

Princeton Microwave PmT-F-1000 是一款高性能 KA 波段双通带滤波器，工作频率覆盖 10-24 GHz（低频通带）和 31-48 GHz（高频通带），并在 26.2-27 GHz 频段提供 70 dB 的强抑制能力。该滤波器具有低插入损耗（1-2 dB）、高功率处理能力（10W）、紧凑尺寸（1.5×0.75×0.4 英寸），采用密封设计和 K 型连接器，适用于严苛环境（-50°C 至 100°C），并符合 RoHS 标准。

Linear Systems ID100和ID101单片双二极管

2025-04-15 09:14:57

Linear Systems ID100 和 ID101 单片双二极管是 Intersil 同型号的兼容替代品，具有 低反向漏电流（1V 时 0.1pA）、高反向击穿电压（≥30V）、低反向电容（0.75pF @10V/1MHz）和 高可靠性（TO-78/TO-71 封装）。适用于 运算放大器保护（限制差分/共模电压）和 采样保持电路（减少偏移电压），工作温度范围 -55°C 至 +150°C，最大功耗 300mW，反向电压 30V，提供 RoHS 合规封装选项。

Ampleon BLA6H0912-500 LDMOS航空电子雷达功率晶体管

2025-04-14 09:26:23

Ampleon 的 BLA6H0912-500 LDMOS 功率晶体管专为航空电子发射机设计，适用于 960 MHz 至 1215 MHz 频段的 Mode-S、TCAS、JTIDS、DME 和 TACAN 等系统。该器件具有 高功率控制灵活性、集成 ESD 保护、脉冲格式兼容性、高耐用性、高效率及优秀的热稳定性，并支持宽带操作和内部匹配，简化设计流程。同时，它符合 RoHS（2002/95/EC） 环保标准，适用于航空电子雷达等严苛环境。

NXP恩智浦LX2160A,LX2120A,LX2080A多核处理器

2025-04-11 09:04:14

LX2160A是NXP公司Layerscape系列旗舰级多核处理器，基于16核Arm® Cortex®-A72架构（2.2GHz），采用FinFET工艺实现高性能与低功耗平衡。其核心优势包括：18MB高速缓存、24个25GHz SerDes通道、16个多速率以太网端口（1-100Gb/s）、114Gbps二层交换能力、24条PCIe Gen3通道，以及50Gbps安全加速和100Gbps数据压缩引擎，专为5G数据包处理、NFV、智能网卡及工业计算等高负载场景设计。

Vishay VJ0402D1R2BXCAJ高频应用表面贴装多层陶瓷电容器

2025-04-10 08:55:53

Vishay的VJ0402D1R2BXCAJ是一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），电容值为1.2pF，尺寸为1.02mm×0.51mm×0.61mm，支持200VDC耐压和200°C高温工作，采用卷带包装便于运输和安装。其C0G介质特性（±30ppm/°C温漂、0.05%损耗因数）和0%老化率使其适用于高频严苛场景，如射频设备、基站、医疗仪器及军事通信。

Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET

2025-04-09 09:17:48

SD11461 是 Solitron Devices 生产的一款高性能 N 通道功率 MOSFET，具有 100V 漏源电压和 35A 连续漏极电流，导通电阻低至 25mΩ，采用 TO-258/TO-254 封装，支持快速开关（如 15ns 开启延迟）和高功率耗散（147W）。其工作温度范围广（-55°C 至 +150°C），适用于电源管理（如 DC-DC 转换器）、电机驱动及高频应用，电气特性包括 2.0-4.0V 阈值电压、87nC 栅极电荷，并集成高效源极二极管（1-1.5V 正向电压）。封装设计兼顾散热与紧凑性，满足工业和恶劣环境需求。

Q-Tech QT380,QT381,QT382...QT386,QT387高温低功耗时钟振荡器

2025-04-02 08:59:09

Q-Tech QT381/QT386系列是32.768kHz高精度时钟模块，采用AT切石英晶体，支持2.5V/3.3V供电，具有±150~250ppm精度、70~120μA超低功耗和-55°C~+185°C宽温工作范围，适用于石油、航天等严苛环境。采用5x7mm微型封装，10ms快速启动，待机电流仅20μA。

Bliley ATLZ-X10MLR-XXX1B低功耗GPS校准OCXO

2025-04-02 08:53:23

Bliley AtlasIG是一款集成GNSS接收器的低功耗、高精度GPS校准OCXO，提供10MHz参考频率和精准定时信号，具备±15ns的1PPS精度、350mW稳态功耗、紧凑尺寸及优异相位噪声性能（-123dBc/Hz@10Hz），支持多频段卫星系统，冷启动时间26秒，工作温度范围宽（标准0°C至70°C，扩展-40°C至85°C），可靠性达25万小时MTTF，适用于严苛环境的高精度同步需求。