Connor‑Winfield TCXO选型：10MHz、50MHz与100MHz如何选择？

2026-08-25 09:48:33

本文对比Connor‑Winfield M100F-010.0M、TJ5F-050.0M和TB522-100.0M三款TCXO，说明10MHz、50MHz与100MHz在稳定度、功耗、封装及应用上的差异，并给出时钟架构和PCB设计建议。

TB522-100.0M：100MHz ±1ppm高精度TCXO温补晶振

2026-08-25 09:37:54

TB522-100.0M是一款100MHz、3.3V LVCMOS输出TCXO，具有±1ppm频率稳定度、输出使能/禁用功能及7.0mm × 5.0mm表面贴装封装，适合通信、网络和高速数字系统的参考时钟设计。

Connor-Winfield TJ5F-050.0M：50MHz ±1ppm TCXO温补晶振

2026-08-25 09:29:27

TJ5F-050.0M是一款50MHz、3.3V LVCMOS输出温补晶振，提供±1ppm频率稳定度、Enable/Disable控制及7.0mm × 5.0mm表面贴装封装，适用于通信、网络和精密数字时钟系统。

T604-010.0M：10MHz ±0.28ppm宽温VCTCXO参数与应用

2026-08-25 09:20:02

T604-010.0M是一款10MHz VCTCXO，采用7×5mm、10焊盘表贴封装，在-40℃至+85℃范围内提供±0.28ppm稳定度，并支持约±10ppm以上的频率牵引、低相位噪声及输出使能，适合通信同步和PLL应用。

EH321-TFC-CC-60033CF-010.0M：10MHz 1PPS锁定OCXO同步模块

2026-08-24 10:15:23

EH321-TFC-CC-60033CF-010.0M将高稳定度OCXO与1PPS时间频率转换功能集成在一个模块中，可将GNSS等设备提供的1PPS信号转换为连续10MHz CMOS参考时钟，并在参考中断时通过Holdover维持输出。

V7223T-122.88M：122.88MHz低抖动VCXO参数与应用

2026-08-24 10:06:17

V7223T-122.88M是一款面向通信时钟应用的122.88MHz低抖动压控晶体振荡器，支持3.3V LVCMOS输出、±50ppm APR、输出使能和工业级宽温运行，可作为PLL、DPLL、基站及高速通信设备的可调参考时钟。

M100F-010.0M：10MHz ±100ppb高精度TCXO参数与应用

2026-08-24 09:55:13

M100F-010.0M是一款10MHz固定频率TCXO，提供±100ppb稳定度、低于1ps的RMS相位抖动、3.3V LVCMOS输出和5×3.2mm小型表贴封装。相比OCXO，它具有功耗低、启动快和尺寸小的优势，适合通信、GNSS及网络时钟设备。

OH100-61003CF-010.0M：适用于PTP同步的10MHz ±10ppb OCXO

2026-08-24 09:45:25

OH100-61003CF-010.0M是一款10MHz、3.3V、CMOS输出的宽温OCXO，频率稳定度为±10ppb，工作温度覆盖-40℃至+85℃。该型号可作为PTP主时钟、边界时钟及GNSS授时设备的本地频率参考，兼顾稳定度、宽温性能和数字接口兼容性。

OX200-SC-010.0M：10MHz ±1.5ppb低相噪VCOCXO

2026-08-24 09:37:44

OX200-SC-010.0M是一款10MHz压控恒温晶体振荡器，结合±1.5ppb温度稳定度、低相位噪声、低老化率和电子频率控制功能，适合作为PTP主时钟、通信同步设备、PLL和精密仪器的高稳定度参考源。

OH2095TSE-010.0M：10MHz ±3ppb宽温OCXO

2026-08-24 09:27:45

OH2095TSE-010.0M是一款基于SC切割晶体的10MHz恒温晶体振荡器，提供±3ppb频率稳定度、-40℃至+95℃宽温工作范围和CMOS输出。其集成温度传感器与EEPROM的设计，适合需要高稳定度参考时钟及温度数据支持的授时、通信和测量设备。

Connor‑Winfield 10MHz OCXO恒温晶振选型指南：OH100、OH2095TSE与OX200对比

2026-08-24 09:19:05

Connor‑Winfield提供多种10MHz OCXO和VCOCXO产品，覆盖±10ppb至±1.5ppb级频率稳定度、3.3V或12V供电、通孔或表面贴装封装。本文对比重点型号，并说明不同应用应如何选择。

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NTH4L022N120M3S参数：1200V 22mΩ EliteSiC MOSFET

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NTH4L022N120M3S是Onsemi EliteSiC M3S系列1200V碳化硅MOSFET，典型导通电阻为22mΩ，采用带Kelvin源极的TO-247-4L封装。该器件面向光伏逆变器、储能系统、UPS、电动汽车充电桩及高功率开关电源。

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