Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驱动、CO - 8封装的烤箱补偿晶体振荡器。专为特定需求设计，特点有频率稳定性高（±5.0ppb）、温度范围宽、低功耗、低相位噪声和抖动且RoHS合规。电气参数包括供电电压范围、输出特性，还有多种频率稳定性相关参数。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/纸介电容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/纸介电容器，额定电压为15000V，电容值范围从0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差选项，工作温度范围为-55°C至85°C，绝缘电阻为25至50k ΩF，损耗因子在1,000Hz时为0.6%，测试电压为额定电压的150%，适用于高压电路。

LA9310S7S11AA可编程基带处理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC数字信号处理器，专为5G基础设施和定制通信系统设计，具备强大的VSPA DSP、高速采样率、灵活的I/O连接和前向纠错能力，适用于网络监听、小型无线电单元和中继器等应用，提供8mm x 8mm的封装和在105C时1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基础MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基础微控制器，专为汽车仪表盘和工业应用设计，具备Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架构，支持双WVGA显示和HUD变形，集成了先进的图形处理单元和功能安全特性，满足ISO26262 ASIL-B标准，并提供丰富的软件支持和开发工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X压控晶体振荡器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻环境下精确输出频率，适用于低噪、低抖、高振环境。规格涵盖尺寸、频率范围、输出模式、稳定性、温度、电压等。性能参数包括调频范围、噪声、启动时间、输出电压、电流消耗。有4 - 6引脚配置，特定包装材料，符合相关标准，适用于通信、精密仪器、工业自动化设备等。

Infineon英飞凌P沟道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P沟道功率MOSFET系列专为中低功率应用设计，具有空穴流载流子、负栅极电压需求、简化设计和广泛电压等级等特点，优化电路设计并易于获取。提供多种封装类型，广泛应用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动等领域，包括工业和汽车应用，特别是车规级产品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面贴装CMOS时钟振荡器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定频率晶体控制振荡器采用5.0x7.0mm表面贴装封装，适用于高频率稳定性和低抖动应用，工作电压为3.3V或5.0V，频率稳定性为±25ppm或±50ppm，温度范围为-20至70°C，频率范围为1.0至156.25MHz，负载电容为15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存储温度为-55至125°C，采用密封陶瓷封装，符合RoHS标准的无铅焊接。

IRLML6401TRPBF：12V单通道P沟道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET，采用SOT-23封装，专为低功耗和低频率应用设计，具备宽广的安全工作区域、行业标准认证、低频应用中的高性能等特点，适用于DC开关、负载开关等应用，技术规格包括最大漏极电流-4.3A、导通电阻最大50mΩ等，非常适合电源管理、电机控制和电池供电设备。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶体管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射频功率晶体管，专为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的基站应用设计。其特点包括紧凑的8 mm x 8 mm QFN封装、5G mMIMO优化、高效率Doherty配置、宽带操作、内部匹配设计以及优秀的数字预失真能力。适用于多载波应用，提供高带宽和高数据速率，技术参数包括110W名义输出功率、48V漏源电压、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏极效率。

Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二进制MOS电容器

2024-11-06 09:09:59

Vishay CBA系列MOS电容器有两种总电容版本，电容以二进制增量在0.25 pF - 15 pF间配置，提供多种选择。该电容器可线焊，采用特定介质和基板，尺寸小，用于微波电路混合封装。其电气规格涵盖工作电压、损耗因数、Q值、温度系数和工作温度范围等。

Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交换机

2024-11-05 09:06:19

Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交换机，具备50个通道和端口，支持高速数据传输、低延迟和灵活的fabric拓扑结构，特别适合数据中心和云服务提供商。它具备嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架构、48个DMA通道、消除PCIe拓扑限制、专为NVMe AFA系统设计、生命周期活跃功能、双管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在构建高性能、低延迟、可扩展的PCIe fabrics。

Q-TECH QTCV356系列小型化SMD电压控制晶体振荡器

2024-11-04 09:04:41

QTCV356系列VCXOs（压控晶体振荡器）是一款集成了5Vdc或3.3Vdc时钟方波发生器和微型条形AT石英晶体的低高度陶瓷封装振荡器，适用于低电压应用。其主要特性包括宽频率范围（1.000MHz到156.250MHz）、小尺寸（3.2 x 5mm）、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL逻辑类型、5.0Vdc或3.3Vdc供电电压、-40ºC到+85ºC的工作温度范围、Tri-State输出、密封陶瓷封装、基本和第三泛音设计、符合MIL-PRF-55310标准的军事级筛选测试，以及无铅和RoHS合规。该系列产品广泛应用于枪械发射弹药和系统、智能弹药、仪器仪表、以太网/同步、SONET、微处理器时钟等领域。

Delta HCME1012(F)系列电感器

2024-11-01 09:35:05

Delta的HCME1012(F)系列电感器在电子设计中发挥关键作用，适用于电源管理、信号过滤等领域。该系列提供70 nH至330 nH的电感值，低直流电阻（33 mΩ）、高饱和电流（178 A），工作温度范围宽（-40℃至125℃），精度±10%至±15%。其紧凑尺寸（10.0x6.0~6.2x12.0mm）和严格的质量控制确保了在多种应用中的高效率和可靠性。

Bliley高性能BOCSE系列非PLL晶体振荡器

2024-11-01 09:23:34

Bliley的BOCSE系列非PLL晶体振荡器稳定性和精确度高，符合高端市场需求，适用于军事、仪器仪表等多领域。它采用2.5x2.0mm封装，符合军用标准，频率1.5 - 170MHz，温度稳定性±25 - ±100ppm，电源电压多样，工作温宽（-55°C - +125°C）。具有响应快、输出稳、相位噪声和抖动低等性能，通过多项测试且包装安全。

LS94,SST94单通道P沟道JFET开关Linear Systems

2024-11-01 09:18:08

LS94和SST94是Linear Systems公司生产的单通道P沟道JFET开关，专为超低噪声音频/声学应用设计，可直接替代Toshiba 2SJ94。它们具有高跨导（22 mS）、高输入阻抗（1 nA）、低电容（32 pF）和多种封装形式（TO-92、SOT-89、裸片）。电气特性包括栅极到漏极击穿电压25V、栅极到源极开启电压0.15V至2V、漏源饱和电流-30 μA至-2.6 mA等。这些特性使得LS94和SST94成为高增益放大应用中的理想选择，尤其在高输入阻抗和低噪声需求场合。

X-1620NL SMT信号隔离变压器iNRCORE

2024-10-31 09:02:02

iNRCORE X-1620NL是一款专为恶劣环境设计的小尺寸信号隔离表面贴装变压器，具备高隔离电压（至少3kVrms）、宽工作温度范围（-55°C至+125°C）、耐用材料（锡/铅结构）和湿度敏感性等级3级。其电气规格包括匝比1CT:1CT（±2%精度）、初级电感至少1mH、最大0.8Ω直流电阻、最大1.2mH漏感、最大25pF绕组间电容和最大10pF初级电容。物理特性为1.16g重量和10.03 × 8.89 × 6.85mm尺寸，适合空间受限的应用。该变压器在高温、湿度和高电压隔离方面表现卓越，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等高环境适应能力需求场景。

Ampleon ART1K6PH LDMOS功率晶体管1600W

2024-10-31 08:59:06

Ampleon的ART1K6PH LDMOS射频功率晶体管是一款专为工业、科学和医疗(ISM)应用、广播和通信市场设计的1600W高功率器件，频率范围覆盖1MHz至450MHz。其核心特性包括高击穿电压、宽带操作、简易功率控制、集成ESD保护以及高效率与热稳定性，适用于等离子体发生器、MRI系统、粒子加速器、FM无线电、VHF电视、非蜂窝通信和UHF雷达系统等多种应用。技术参数显示其在高功率输出下具有优异的功率增益和漏极效率，封装形式为OMP-1230-4F-1，支持回流/波峰焊接。

Statek SWCX4V/SWCX4石英晶体

2024-10-30 09:23:55

Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶体专为抗辐射应用设计，采用高温电扫工艺的培养石英，能耐受超过100 krad的辐射剂量，保持频率稳定。特点包括高冲击电阻、超高可靠性、客户定制设计、低老化率、严格的无尘室生产工艺，适用于军用和航天级应用，如卫星系统、太空探索任务和深空探测器。

Connor-Winfield 93600-XXXX系列表面贴装高频VCXO

2024-10-30 09:00:38

Connor-Winfield 93600-xxxx系列是一款5.0 x 3.2mm高频基频表面贴装晶体，专为高频VCXO设计，适用于大规模生产。其特点包括温度稳定性±25ppm，工作温度范围-40至85°C，中心频率70-300 MHz，并联电容5.0 pF，动态电容4.0 fF，等效串联电阻25 Ohm，负载电容20 pF，驱动电平100 μW，符合RoHS标准。

FMCE-1528 EMI滤波器Interpoint

2024-10-30 08:56:33

Interpoint® FMCE-1528 EMI滤波器专为降低高频DC-DC转换器的输入纹波电流设计，符合军用标准MIL-STD-461C/D/E/F。它在紧凑封装中提供高达15A的电流，工作温度范围为-55°C至+125°C，输入电压范围为0.5至50V，能有效减少500 kHz和1 MHz时的噪声，典型衰减达70 dB。