Linear Systems J500系列电流调节二极管0.192mA至5.6mA

2026-01-05 09:14:06

SST500系列是Linear Integrated Systems推出的高精度电流调节二极管（CRD），可在宽电压范围内（最高50V）提供稳定的恒定电流（0.192mA~5.6mA），无需额外偏置电路，适用于测试仪器、医疗设备、传感器偏置和LED驱动等场景。相比Vishay/Siliconix的SST502系列，其性能更优、一致性更好，并提供SOT-23封装，支持-55°C~150°C宽温工作，动态阻抗范围0.07MΩ~15MΩ，持续功耗350mW。

onsemi SiC MOSFET NTBG014N120M3P

2026-01-04 09:09:06

Onsemi的NTBG014N120M3P是第三代1200V EliteSiC沟槽MOSFET，采用D²PAK-7L封装，具有14mΩ超低导通电阻（25°C时150A连续电流），专为高频高效设计，开关损耗仅1.95mJ（开通1331μJ/关断620μJ），栅极电荷377nC，支持40kHz以上开关频率；其优势包括：175°C高温下导通电阻29mΩ、418mJ单脉冲雪崩能量、0.23°C/W超低热阻，工作结温-55~175°C，兼容标准SiC驱动器，广泛应用于光伏逆变器、EV快充、储能系统等高压高效场景。

DEI1022/1023/1024/1025 ARINC429线路驱动器Device Engineering

2025-12-30 08:59:32

DEI1022/23/24/25 系列是“即插即用”的 ARINC 429 线路驱动器，只需一枚电容即可设定速率，提供四种输出阻抗/保护组合，让航空数据总线接口设计更小、更轻、更可靠。

Ampleon CLP24H4S30P：2.4GHz频段66%超高效率GaN-SiC功率晶体管

2025-12-29 09:24:47

Ampleon CLP24H4S30P是一款采用GaN-on-SiC HEMT技术的30W高效功率晶体管，工作频段为2.4-2.5GHz ISM频段，专为连续波（CW）应用优化设计。该产品适用于工业加热/干燥系统、商用/家用微波设备、医疗治疗设备及科研仪器等领域。

Rogers罗杰斯RO3203、RO3206、RO3210材料规格

2025-12-29 09:22:01

Rogers罗杰斯RO3203、RO3206和RO3210高频PCB电路材料采用陶瓷填料层并由玻璃编织布加固，开发目的是以有竞争力价格提供卓越电气和机械稳定性，其作为RO3000系列高频材料延伸，特点是更好机械稳定性，还介绍了它们的各项性能参数、标准厚度、标准面板尺寸、标准铜箔覆盖情况、优点及应用领域。

A3M34SL039 61W Doherty功率放大器模块频率3.3-3.7GHz NXP恩智浦

2025-12-23 09:50:30

NXP半导体公司的A3M34SL039是一款面向5G无线基础设施（如大规模MIMO、小基站）的高集成度Doherty功率放大器模块，工作于3.3-3.7GHz频段，提供8W平均功率、29.6dB增益和37.1%效率，采用10×8mm表贴封装，集成自动偏置控制、I2C接口和温度传感功能，通过数字线性化技术实现-31.6dBc邻道泄漏比，支持-40℃至125℃工业环境应用。

Broadcom PEX8696,PEX8680,PEX8664,PEX8649 PCIe Gen-2交换芯片

2025-12-23 09:46:24

Broadcom ExpressLane PEX-86xx系列是面向服务器、存储和通信平台的多主机PCIe Gen-2交换芯片组，提供96/80/64/48 lane四档规格（对应24/20/16/12端口），该系列通过PCIe 2.0（5GT/s）兼容设计，广泛应用于GPU扩展背板、NVMe JBOF及电信冗余控制等高可靠性场景.

NCP3237工业级8A DC-DC降压转换器Onsemi

2025-12-18 09:03:20

Onsemi NCP3237是安森美半导体推出的高效率同步降压转换器芯片，采用QFN18紧凑封装（3.5mm×3.5mm），集成功率MOSFET，支持4.5-16V宽输入范围和0.6-12V可调输出（±1%精度），单相可提供8A输出电流，效率高达95%（12V转3.3V时），开关频率可调（300kHz-1.2MHz），工作温度覆盖工业级-40°C至150°C，适用于通信设备、服务器/存储系统和工业控制等空间受限的高性能电源管理场景。

Semelab D1028UK 300W射频功率晶体管

2025-12-18 09:00:38

Semelab D1028UK是一款高性能DMOS工艺金属栅极硅FET晶体管，关键参数包括28V工作电压、438W最大功耗、70V漏源击穿电压及0.4°C/W优异热阻特性，特别适用于广播通信、工业加热和军事射频系统等高功率高频应用场景。

DATEL SB系列高隔离1/16砖型DC-DC转换器

2025-12-16 09:22:21

DATEL SB系列采用十六分之一砖标准封装（0.9×1.3×0.404英寸），提供4:1超宽输入范围（部分型号2:1）和2.5-15V精密稳压输出，功率覆盖50W（4:1输入）至100W（多输出）。符合EN60950等安规认证，是航空航天、工业自动化等严苛环境下高可靠性电源解决方案。

Rogers RO3210™ 高频层压板电路材料：10.2介电常数

2025-12-15 09:29:53

RO3210™是Rogers公司RO3200™系列的陶瓷填充高频电路材料，采用玻璃纤维编织增强，具备特定技术规格（如介电常数等多方面参数及对应测试条件、方法）、标准规格（厚度、面板尺寸、铜箔选项），典型应用于汽车电子、通信基础设施、卫星通信、工业设备等场景。

DATEL数模转换器DAC 8位到16位

2025-12-12 09:31:31

DATEL DAC 产品提供 高速、高精度、宽温、军工级 多种选择，适用于从消费级到航空航天级的广泛需求。如需具体型号推荐，可进一步提供应用场景参数（如采样率、温度范围等）。

Renesas瑞萨R7F122FGG3AFB-C,R7F125FPL3AFB-C车规级16位MCU

2025-12-11 10:07:08

瑞萨电子RL78/F22和F25系列是专为汽车电子和工业控制设计的高可靠性微控制器，具备超低功耗（1.8V~5.5V宽电压）、高性能（40MHz主频）和功能安全（ISO 26262 ASIL-B）特性。F22（128KB Flash）适用于经济型应用如车灯控制，而F25（512KB Flash）支持CAN-FD和更复杂场景如车身控制模块。全系集成硬件加密（AES/TRNG）、丰富外设（ADC/DAC/触摸感应），并提供完整开发工具链，是汽车级嵌入式系统的理想选择。

Marvell 88E6361单芯片8端口以太网交换机

2025-12-11 09:41:47

Marvell 88E6361是一款高度集成的8端口千兆以太网交换芯片，集成了5个10/100/1000Mbps PHY和3个高速SerDes接口（包含2个2.5G SerDes和1个可配置为2.5G SerDes或RGMII的接口）。特别适用于SMB交换机、工业网关和云管理交换机等应用场景。

210-0603,210-0508 MTI-MILLIREN 210系列OCXO 14 Pin DIP封装

2025-12-10 09:14:19

MTI-MILLIREN 210系列OCXO适用于对性能要求高的场景，具备低功耗（25°C时连续功耗≤0.70W）、STRATUM III性能、低相位噪声等特点，应用领域包括STRATUM III、电信、微波无线电等。

DATEL DAC-1025SE 10位250MSPS高速DAC芯片

2025-12-09 09:02:59

DATEL DAC-1025SE 是一款高性能10位分辨率、250 MSPS采样率的数字模拟转换器(DAC)，专为高速信号处理而设计。它采用低功耗架构，支持+3V至+5V单电源供电，内置1.2V精密基准电压，并具备CMOS输入锁存功能，适用于医疗成像、通信基站、测试测量等高精度、高动态范围应用场景。

Semelab RF功率MOSFET产品系列选型对比表

2025-12-08 09:39:15

Semelab（现属TT Electronics）的RF功率MOSFET产品，具备0.52mΩ超低导通电阻（以D2000系列为例）、高增益（最高13dB）、宽频带（1MHz - 2GHz）及紧凑封装（DP/SO8/DK等）特性，满足VHF/UHF通信、广播发射、工业加热、汽车电子（需补充具体型号）等高频高功率场景需求。

Onsemi NVMFWS系列汽车级低/中压MOSFET

2025-12-08 09:34:37

Onsemi NVMFWS系列是符合AEC-Q101认证的汽车级MOSFET，采用PowerTrench®技术实现0.52mΩ超低导通电阻和414A超高电流能力，搭配5×6mm² SO-8FL紧凑封装优化布局空间。其低栅极电荷(Qg)设计提升开关效率，并通过RoHS/无卤素环保认证，专攻新能源汽车（电机驱动/OBC）、工业自动化（伺服机器人）、电池管理（BMS）及高频电源系统（同步整流）等高可靠性场景，满足PPAP文档要求。

onsemi NTMFS4D系列功率MOSFET

2025-12-08 09:30:26

onsemi 安森美NTMFS4D系列功率MOSFET是一款高性能器件，具有3.5mΩ超低导通电阻和119A大电流承载能力，采用紧凑型DFN5封装（5x6mm）优化空间占用，并通过3.5°C/W超低热阻和软体二极管恢复技术显著提升散热效率与开关性能，适用于电机驱动、电池保护（如电动汽车）、同步整流及汽车/工业电源管理等场景

Vishay S222M33Z5UP6UK5R高压陶瓷圆片电容1 kV~6 kV

2025-12-05 09:02:55

Vishay BCcomponents S Series 是高性能陶瓷单层直流圆片电容器系列，涵盖1kVDC至6kVDC额定电压及10pF-33nF电容范围，适用于高压滤波（测试电压达额定值200%）、工业控制及医疗设备等场景。