Connor Winfield晶振选型：OCXO、TCXO、VCXO与VCTCXO区别

2026-07-17 10:59:07

Connor Winfield OCXO、TCXO、VCXO与VCTCXO有什么区别?本文从频率稳定性、温度补偿、压控调节、功耗、相位噪声及应用场景等方面进行对比，并介绍DOC、OH、V7223T、M100F、T200V等系列的选型方法。

Vishay电容选型指南：钽电容、薄膜电容与铝电解电容对比

2026-07-16 14:01:36

介绍Vishay钽电容、薄膜电容与铝电解电容的结构、ESR、电压、容量及应用区别，并推荐293D、593D、597D、MKP1848e和193 PUR-SI等系列。

Vishay 293D、593D与597D钽电容区别及替代选型

2026-07-16 13:45:24

对比Vishay 293D、593D与597D贴片钽电容的容量、电压、ESR、封装及应用差异，并介绍三个系列之间的替代选型注意事项。

Vishay 193 PUR-SI 550V/600V高压铝电解电容

2026-07-16 11:33:47

介绍Vishay 193 PUR-SI 550V和600V牛角铝电解电容的容量、纹波电流、寿命、封装及在逆变器、UPS和工业电源中的应用。

Vishay MKP1848e DC-Link薄膜电容选型指南

2026-07-16 11:27:11

介绍Vishay MKP1848e高温DC-Link薄膜电容的电压、容量、纹波电流和ESR参数，以及在OBC、逆变器、储能和工业电源中的应用。

Vishay T51与T55聚合物钽电容选型对比

2026-07-16 11:17:30

对比Vishay T51与T55聚合物钽电容的温度范围、电压、容量、ESR及应用，介绍常用型号并提供汽车电子和工业电源选型建议。

SiC MOSFET与IGBT功率模块怎么选？效率、频率及成本对比

2026-07-16 10:37:04

SiC MOSFET与IGBT功率模块如何选择？本文对比效率、开关频率、成本、散热和应用，并介绍Vincotech、onsemi及Infineon产品特点。

GaN与LDMOS射频功率晶体管怎么选？Ampleon、Semelab对比

2026-07-15 15:47:39

对比GaN、LDMOS和VDMOS射频功率晶体管的频率、功率、效率及应用，介绍Ampleon、Semelab和onsemi产品定位与选型方法。

Broadcom PEX8600系列PCIe Gen2交换芯片型号与选型

2026-07-15 11:29:21

介绍Broadcom PEX8600系列PCIe Gen2交换芯片，对比PEX8696、PEX8680、PEX8664、PEX8648、PEX8636、PEX8632等型号的Lane数量、端口配置及典型应用。

Broadcom PEX8700系列PCIe Gen3交换芯片型号与选型

2026-07-15 11:02:46

介绍Broadcom PEX8700系列PCIe Gen3交换芯片，对比PEX8796、PEX8780、PEX8764、PEX8749、PEX8748、PEX8733等型号的Lane数量、端口配置及应用。

Ampleon BLF0910H9LS750P：915MHz 750W工业射频功率晶体管

2026-07-14 15:05:07

Ampleon BLF0910H9LS750P是一款面向915MHz工业应用的750W LDMOS射频功率晶体管，覆盖902–928MHz，采用50V供电，具备高效率、内部输入匹配和10:1 VSWR失配承受能力。

Ampleon BLF20M10LS200P：2GHz 200W LDMOS射频功率晶体管

2026-07-14 14:55:09

Ampleon BLF20M10LS200P是一款覆盖1975–2025MHz的200W LDMOS射频功率晶体管，采用32V供电，典型增益17.3dB、漏极效率69%，适用于工业、科研、医疗及非蜂窝通信系统。

Ampleon C5H4850N55D：5GHz 55W GaN Doherty射频晶体管

2026-07-14 14:48:10

Ampleon C5H4850N55D是一款覆盖4.8–5.0GHz的55W GaN Doherty射频功率晶体管，采用50V供电和8mm × 8mm QFN封装，具备内部匹配、高效率和良好DPD性能，适用于5G基站及多载波功放。

Ampleon B11G4450N91D参数｜4.4–5.0GHz Doherty MMIC驱动器

2026-07-14 14:37:57

Ampleon B11G4450N91D是一款覆盖4.4–5.0GHz的双通道三级LDMOS Doherty MMIC驱动器，集成载波与峰值功放、输入分配器、输出合成器及预匹配网络，适用于5G宏基站GaN末级功放驱动。

Ampleon G1M3438P70C参数｜3.4–3.8GHz 70W GaN功放模块

2026-07-14 14:24:23

Ampleon G1M3438P70C是一款覆盖3.4–3.8GHz的70W GaN Doherty功放模块，集成智能偏置、温度补偿、I²C接口及50Ω输入输出，适用于5G Massive MIMO基站。

Ampleon CLF06H4LS1K5P｜600MHz 1500W GaN-SiC射频功率晶体管

2026-07-14 14:07:06

Ampleon CLF06H4LS1K5P是一款覆盖580–650MHz的1500W GaN-SiC HEMT射频功率晶体管，支持连续波和脉冲连续波工作，采用50V供电与SOT539B陶瓷封装，适用于工业射频加热及粒子加速器。

onsemi EliteSiC碳化硅MOSFET：650V与1200V型号介绍

2026-07-13 11:01:10

介绍onsemi安森美EliteSiC碳化硅MOSFET产品，对比650V与1200V M3S型号的导通电阻、栅极电荷、封装及光伏、储能、服务器和汽车应用。

onsemi安森美功率MOSFET:NTTFSSCH1D3N04XL与NTMFWS1D5N08X

2026-07-13 10:38:41

介绍onsemi安森美PowerTrench T10功率MOSFET的技术特点，对比NTTFSSCH1D3N04XL与NTMFWS1D5N08X的电压、导通电阻、封装及应用。

Broadcom BCM56990交换芯片价格现货AI数据中心800G Ethernet Switch ASIC

2026-07-06 09:10:47

Broadcom BCM56990 是一款面向下一代 AI 网络、800G 交换机和超大规模数据中心的高性能以太网交换芯片，具备高带宽、低延迟、高端口密度和强大的网络吞吐能力，可用于 GPU 服务器高速互联、AI 集群通信、云计算平台、超融合基础设施以及 HPC 高性能计算场景，帮助数据中心满足高速接口、低时延传输和大规模数据交换需求。

Broadcom BCM85812 800G光模块PAM4 PHY芯片介绍

2026-06-30 09:12:38

Broadcom BCM85812 是一款面向 800G 光模块应用的 5nm PAM4 Transceiver PHY 芯片，支持 8 路 106Gb/s PAM4，适用于 800G DR8、2×400G FR4、800G AOC、QSFP-DD、OSFP 光模块以及 AI 数据中心高速互连场景。