D1028UK和D1030UK均为Semelab(TT Electronics)推出的金属化硅DMOS射频功率MOSFET，采用DR法兰封装和Push-Pull推挽结构，工作电压为28V，应用频率范围为1–200MHz，主要射频性能在175MHz条件下测试。两款器件均提供最低13dB功率增益，主要区别在于输出功率、效率、电流能力及内部FET配置。

D1028UK的额定输出功率为300W，最低效率为60%;D1030UK将输出功率提高到400W，但最低效率为50%。因此，两款型号并不是简单的高低功率替换关系，选型时还需考虑散热、电源容量和匹配网络。

D1028UK与D1030UK参数对比

如何选择

适合选择D1028UK的情况

D1028UK更适合以下需求：

目标射频输出功率约300W;

更重视效率和系统功耗;

电源及散热能力相对有限;

已有针对D1028UK设计的匹配网络;

用于1–200MHz范围内的HF或VHF功率放大器。

适合选择D1030UK的情况

D1030UK更适合以下需求：

需要接近400W的射频输出;

希望为系统保留更高功率余量;

电源能够提供更大的峰值及持续电流;

散热结构能够处理更高器件功耗;

可以重新设计或调整射频匹配网络。

典型应用

D1028UK和D1030UK可用于1–200MHz范围内的VHF/UHF通信及射频功率放大应用，包括：

HF及VHF射频功率放大器;

广播和通信发射机;

工业RF发生器;

等离子体及射频加热设备;

射频测试系统;

老旧大功率射频设备维修。

官方规格书将两款器件定位为适用于宽带放大器设计的28V推挽RF功率器件。

选型注意事项

D1028UK和D1030UK均为分立式RF功率器件，并非内部50Ω匹配模块。实际应用时需要根据工作频率、带宽、输出功率和负载条件设计输入输出匹配网络。

两款器件的DR封装陶瓷区域含氧化铍材料，安装和拆卸时不得切割、研磨或损坏陶瓷部分，报废器件也不应作为普通工业或生活垃圾处理。

常见问题

1. D1028UK和D1030UK最大的区别是什么?

最大的区别是输出功率和效率。D1028UK输出300W、最低效率60%;D1030UK输出400W、最低效率50%。

2. D1030UK可以直接替换D1028UK吗?

不建议直接替换。两款器件虽然封装和引脚相同，但内部FET数量、电流能力及输入输出电容不同，需要重新验证偏置、匹配网络、电源和散热。

3. 两款器件的工作频率相同吗?

相同。官方产品页面均标注应用频率范围为1–200MHz，主要射频参数在175MHz条件下测试。

4. 300W系统是否有必要选择D1030UK?

如果系统实际输出长期低于300W，并且更重视效率、成本和散热，D1028UK通常已经足够。需要更高峰值功率或设计余量时，可以考虑D1030UK。

5. 询价时需要提供哪些信息?

建议提供完整型号、需求数量、目标交期、工作频率、连续波或脉冲工作方式，以及是否需要原厂规格书和批次信息。

采购支持

立维创展可提供Semelab D1028UK、D1030UK RF功率MOSFET的规格书、价格、交期及选型支持，具体库存与货期请以实时询价结果为准。