介绍Vanguard Electronics GD100、GD200与GD300高可靠门极驱动变压器的绕组比、ET值、电感量、封装及主要型号区别,帮助航空航天、军用电子和工业电源选择合适型号。
介绍Vanguard Electronics PL33与SPL33高电流片式电感的等级、温度范围、MIL-STD-981测试及主要型号区别,帮助航空航天、电源和高可靠电子设备选择合适型号。
对比Solitron SMF404、SMF459、SMF460与SMF178气密封装N沟道功率MOSFET的耐压、电流、导通电阻和封装,帮助军用电源、航空航天及高可靠功率系统完成选型。
介绍Solitron JANTX2N3439与JANTXV2N3439军品级NPN晶体管的参数、筛选等级和应用区别。两者采用TO-5/39封装,额定集电极电流1A,适用于高压低电流逆变器及高频开关电路。
对比Solitron SD11803与SD11810碳化硅肖特基二极管的耐压、电流、温度范围、浪涌能力和热阻。SD11803适合1200V高压及高温应用,SD11810适合650V大电流电源和电机驱动。
对比Solitron SD11906、SD11907、SD11956与SD11957 1200V、105A SiC半桥功率模块,介绍续流二极管、温度传感器及应用差异,帮助高压电源、逆变器和电机驱动项目选型。
对比Solitron SD11705、SD11707、SD11710与SD11714碳化硅MOSFET的耐压、电流、导通电阻和封装,帮助高压电源、PFC及电机驱动项目完成选型。
整理HI-3593、HI-3282、HI-8584、HI-8585、HI-8448、HI-8420等常用HOLT芯片与DEI对应型号,并介绍封装、供电、温度和引脚兼容性验证要点。
介绍DEI1026A六通道Discrete-to-Digital接口芯片的Open/Ground输入、TTL/CMOS三态输出、DO-160雷击保护、封装及温度等级。
对比DEI3093与HOLT HI-3593的接收通道、发送通道、SPI接口、FIFO、封装、温度范围及防雷设计,分析DEI3093替代HI-3593时需要核对的硬件与软件条件。
对比Connor Winfield V7223T、VSLD52C1和VT762三款156.25MHz VCXO的输出方式、封装、工作温度、相位抖动及频率牵引范围,帮助选择高速网络、光通信及PLL时钟器件。
对比Connor Winfield V7223T、VT762与V803低抖动VCXO的频率范围、输出方式、封装、工作温度、相位抖动及频率牵引范围,帮助选择适合PLL、光通信和高速时钟系统的压控晶振。
对比Connor Winfield T100/T200与TB/TVB系列TCXO、VCTCXO的稳定度、温度范围、频率、输出方式和封装,帮助选择通信、IEEE 1588及同步以太网时钟器件。
对比Connor Winfield M100、M170与M200高精度TCXO的温度稳定度、工作温度、频率、封装及压控功能,帮助选择适合通信、GNSS和时钟同步设备的温补晶振。
对比Connor Winfield OH200与OH300恒温晶振的封装、频率范围、稳定度、供电电压及安装方式,并介绍常用型号编码和OCXO选型方法。
对比Connor Winfield DOC050F、DOCAT052F与DOCSC020V恒温晶振的频率范围、稳定度、温度范围、晶体类型、压控功能及应用差异,帮助选择适合通信、测试、同步以太网和VSAT设备的OCXO。
介绍Vishay钽电容、薄膜电容与铝电解电容的结构、ESR、电压、容量及应用区别,并推荐293D、593D、597D、MKP1848e和193 PUR-SI等系列。
对比Vishay 293D、593D与597D贴片钽电容的容量、电压、ESR、封装及应用差异,并介绍三个系列之间的替代选型注意事项。
介绍Vishay 193 PUR-SI 550V和600V牛角铝电解电容的容量、纹波电流、寿命、封装及在逆变器、UPS和工业电源中的应用。
介绍Vishay MKP1848e高温DC-Link薄膜电容的电压、容量、纹波电流和ESR参数,以及在OBC、逆变器、储能和工业电源中的应用。
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