QT2024L是一款专为高温环境设计的低功耗、高精度实时时钟(RTC)芯片,采用CMOS技术,支持3.3V直流供电。其核心优势包括宽温度范围操作(-55°C至+185°C)、超低功耗(25°C时仅90μA)以及兼容FC-bus串行接口的高速数据传输(400kHz快速模式)。该芯片内置32.768kHz晶振电路,集成丰富的时钟、日历及中断功能,适用于工业设备、汽车电子、医疗设备和物联网终端等严苛环境下的高可靠性应用。
Bliley ATLH-G10MLR-EEC1B 是一款低功耗、紧凑型 GPS 驯服振荡器,集成了高性能恒温晶振(OCXO)和多频段 GNSS 接收器,提供 10MHz 参考频率输出和 ±15ns 精度的 1PPS 时间同步,相位噪声低至 -123 dBc/Hz,支持 GPS、GLONASS、Galileo 和北斗等系统。其功耗仅为 350mW,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,具备抗干扰、防欺骗和 MIL-STD 标准的抗震抗冲击性能,适用于通信基站同步、网络时间服务器、高精度测试设备和导航系统等场景。
Ampleon BLF189XRA是一款1700W的高功率LDMOS晶体管,专为HF到500MHz频段设计,具备高功率输出、优异的坚固性、热稳定性和74%的高效率,集成双侧ESD保护并符合RoHS标准,适用于广播发射机、工业加热、医疗成像等宽带应用。
RO4000® 系列高频电路材料是玻璃增强型碳氢化合物和陶瓷层压板,专为高性能、高容量的商业应用设计。该系列材料具有低损耗特性,可通过标准的FR-4工艺制造,提供卓越的高频性能和成本效益。其特点包括优异的尺寸稳定性、低Z轴膨胀、集成薄膜电阻器和CAF抵抗能力,适用于全球通信系统、复杂多层电路和无线通信设备(如Wi-Fi、蓝牙)等高可靠性应用。
LS1046A处理器是NXP QorIQ系列的高性能、多核、64位Arm®架构处理器,支持四核(LS1046A)和双核(LS1026A)版本,适用于嵌入式网络、工业基础设施、企业路由器、交换机、网络附加存储(NAS)、安全设备及虚拟客户边缘设备(vCPE)等场景。其核心性能包括四个Arm® Cortex®-A72处理器核心,最高1.8 GHz频率,支持10 Gbps性能、DDR4 SDRAM内存控制器及ECC保护,并集成数据路径加速架构(DPAA)和安全引擎(SEC),支持多种高速接口和低功耗模式。该处理器采用23 mm x 23 mm的780球FC-PBGA封装,支持多种电源电压,广泛应用于网络设备、工业自动化、物联网(IoT)边缘计算及安全设备等领域。
VN05系列是一款高精度恒温晶体振荡器(OCXO),专为高要求的应用场景设计,采用双层密封石英晶体技术,确保在高振动环境中保持卓越性能,并具备极低的相位噪声。其频率范围为10.000MHz至50.000MHz,频率稳定性高达±5ppb至±100ppb,相位噪声在1Hz处低至-90dBc/Hz。该系列支持宽工作电压(3.3V至12.0V)和温度范围(可选0~+70°C、-20~+70°C、-40~+85°C),并提供数字(TTL/CMOS或LVCMOS)和模拟(正弦波)输出格式。此外,VN05系列具备频率微调能力(最小±500ppb)、低功耗(稳态功耗最大1.5W)和紧凑封装(25.40mm×22.00mm×13.00mm),并支持定制频率,广泛应用于通信基站、雷达系统、高精度测量仪器以及航空航天和国防领域。
CS200系列是一款高可靠性(Hi-Rel)电流感应变压器,符合MIL-PRF-27规范,专为航空航天、军事设备和工业控制系统等需要高可靠性和精确电流检测的场合设计。该系列产品采用紧凑、低矮的外形,适合自动化安装,并提供多种封装类型(如T-2、T-4和G-2)以满足不同需求。其特点包括焊接内部连接、良好的防潮、抗震和耐浸泡性能,以及耐焊接热能力(可承受265°C达10秒)。电气性能方面,工作温度范围为-55°C至+125°C,绝缘电阻最小为10K MΩ,绝缘耐压为500 VAC,匝数比为1:50至1:200。
2N2880是由Solitron Devices公司生产的NPN型功率晶体管,采用TO-59封装,具有低导通电阻、低饱和电压、低漏电流和低驱动需求等特性,符合MIL-PRF-19500/315军用标准,适用于高可靠性应用。其高频率响应、快速切换和高电流增益使其广泛应用于高压逆变器、开关电源、高频转换器和线路驱动放大器等设备中,提供高效能量转换和稳定的电流放大能力。
MaxLinear的MxL11xx系列微波收发器是一款全CMOS、单芯片宽带微波收发器,支持5GHz到44GHz的整个频率范围,MxL11xx系列广泛应用于5G回传、点对点微波回传链路和无线互联网服务提供商(ISP)场景,其高集成度和高级功能显著减少了外部物料清单(BOM)需求,是5G回传和其他宽带无线应用的理想选择。
巴伦(Balun)在现代电子系统中扮演着关键角色,主要用于连接不同阻抗特性的电路,确保信号完整性和系统可靠性。它具有阻抗匹配、信号转换、EMI抑制和共模抑制等功能,广泛应用于电信、射频电路、音频视频系统等领域。INRCORE提供的巴伦产品线包括SMT、机箱安装、高速、多阻抗等多种类型,满足不同应用需求。选择巴伦时需考虑阻抗匹配、频率范围、带宽、插入损耗、回波损耗、功率处理、尺寸、环境因素、法规遵从性和成本等因素。
RO4003C™、RO4350B™和RO4835™层压板是罗杰斯公司的高性能材料,因其卓越的电气性能和机械稳定性被广泛应用于高频、高功率和高速度的应用领域,如高频通信设备、高速数字电路、汽车电子和航空航天,本文详细介绍了这些材料的加工指南,包括储存条件、内层制作、钻孔、PTH制程、镀铜和外层加工、最终金属表面处理以及外形加工等步骤。
HCB726280-500LIS是台达DELTA HCB系列中的一款50nH±15%电感值、铁芯材质、工作温度-40℃至125℃的电感产品,专为服务器、GPU等高功率应用设计。
HCB444-101IN 是台达 DELTA HCB444 系列中的一款高性能功率电感,具有 100nH 的电感值(±20% 容差)和极低的直流电阻(0.00032Ω)。其饱和电流为 17A,最大电流在 25℃ 时为 13A,在高温环境下(100℃ 和 125℃)为 12A。该电感器采用 SMD 封装,尺寸为 4.3×1.7×1.4mm,工作温度范围为 -40℃ 至 125℃,适用于服务器、GPU 等高功率应用场景,具备强大的电流承载能力和低损耗特性。
DELTA HCUVD6595系列电感器提供0.2至1.0微亨的电感值范围,最大直流电阻为0.85毫欧,可承受12至66A的饱和电流和28A的有效电流。其紧凑的物理尺寸最大为6.5x6.5x9.5毫米,适合电源管理和信号处理等多种电子应用。该系列产品在25°C、100kHz和1V条件下具有稳定的电气特性。
IRGB15B60KD是一款集成了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和超快软恢复二极管的组合器件,具有低导通电压和低二极管正向压降,适用于高效率和高可靠性的电机控制应用。其特性包括10µs短路能力、正温度系数和超软恢复特性,有效降低电磁干扰(EMI)。该器件支持600V集电极-发射极电压,最大集电极电流为31A,并具备优异的热阻抗和开关损耗性能,为高功率密度和低功耗需求提供了理想解决方案。
Linear Systems(全称Linear Integrated Systems)由John H. Hall于1987年创立,总部位于美国加州硅谷,专注高性能分立半导体器件的设计、开发与制造,凭借深厚技术积累服务高精度和高可靠性要求领域。其主要产品有超低噪声JFET、高速横向DMOS开关、低漏电流二极管、电流调节二极管等多种类型。产品应用于音频、工业控制、医疗电子、军事与航天、测试与测量等领域。该公司具有专利与专有技术,产品在噪声、速度和精度等方面表现出色,专注为高端市场提供高性能半导体产品,满足高端应用需求。
QT1123L是Q - Tech公司生产的高性能实时时钟(RTC)芯片,专为高温应用设计,具备低功耗、高稳定性等特点,能为需精确时间记录和数据存储的设备提供可靠时钟方案。其特性包含特定输出频率、工作电压、宽工作与存储温度范围等参数,还提供报警、中断等功能。该芯片适用于数据记录和实时时钟功能,采用SPI总线接口支持快速通信,可通过时钟控制寄存器选择多种输出频率。它采用Kovar材料封装,抗腐蚀且适合恶劣环境,引脚功能丰富,能满足不同连接和控制需求。
PmT - 3210 - Frequency (GHz) 是 Princeton Microwave Technology Inc. 生产的高性能相位锁定振荡器(PLO),专为高频率稳定性、低相位噪声和宽频率范围应用设计,适用于通信、雷达等领域。
LS1043A是NXP公司推出的首款四核、64位Arm®架构的Layerscape系列处理器,提供超10 Gbps性能,适用于小尺寸、低功耗的网络、工业和汽车等应用。它支持无风扇设计,优化了物料清单,有0.9V低功耗版本,23x23封装选项与其他处理器引脚兼容,相比双核32位Arm处理器性能显著提升,还集成QUICC Engine®支持传统接口,是NXP的EdgeVerse™边缘计算平台一部分。其应用场景广泛,涵盖网络设备(如小型交换机、路由器)、工业自动化(支持Profibus等协议的设备)、汽车电子(车载网络系统)以及物联网(作为边缘计算设备核心处理器)。
Ampleon作为全球领先的射频功率半导体解决方案提供商,依托NXP近60年在射频功率领域的技术与经验积累,为无线通信、广播等多领域提供高性能射频功率产品,广泛应用于5G基础设施等场景,彰显卓越实力与广泛影响力。主要用于1.3GHz频率的粒子加速器等高功率射频应用。
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