Solitron Devices 2N3902和2N5157 NPN型功率晶体管

发布时间:2025-04-01 09:12:23     浏览:735

Solitron Devices 2N3902和2N5157 NPN型功率晶体管

  2N3902 和 2N5157 是 Solitron Devices 生产的 NPN 型功率晶体管。

  订购型号:

  JAN2N3902,JANTX2N3902, JANTXV2N3902

  JAN2N5157, JANTX2N5157, JANTXV2N5157

  基本特性

  封装类型:TO-3 封装。

  电压与电流:

  2N3902:集电极-发射极电压(VCEO)为 400V,集电极电流(IC)为 3.5A。

  2N5157:集电极-发射极电压(VCEO)为 500V,集电极电流(IC)为 3.5A。

  发射极-基极电压:

  2N3902:5V。

  2N5157:6V。

  最大功耗:

  在 25°C 环境温度下为 5W。

  在 75°C 案板温度下为 100W。

  性能特点

  低导通电阻:适合高电流应用。

  快速开关能力:适用于高频开关电路。

  高截止电压:适合高电压应用场景。

  高功率处理能力:能够承受较高功率。

  符合军用标准:符合 MIL-PRF-19500/371 标准,适用于高可靠性应用。

  应用领域

  电源管理:用于高压逆变器、转换器、开关稳压器。

  音频放大器:适用于线性放大器。

  电机驱动:适合高电压电机控制。

  工业应用:适用于需要高可靠性和高电压处理能力的场景。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展

推荐资讯

  • IR HiRel集成电路D类音频放大器IC
    IR HiRel集成电路D类音频放大器IC 2021-12-14 17:20:33

    IR HiRe传统的D类放大器是电源开关放大器,通常由两个具备脉宽调制(PWM)数据信号的功率MOSFET组合而成。超过20W的输出电压需要LC滤波器,这会提高规格尺寸和成本费用。

  • Linear Systems PAD50DFN低漏电流二极管
    Linear Systems PAD50DFN低漏电流二极管 2025-03-19 09:16:12

    Linear Systems PAD-DFN 系列低漏电流二极管具有高反向击穿电压(≥-30V)、低反向电容(≤2.0pF)、低漏电流(最大反向漏电流根据型号不同,PAD5DFN 为 -5pA,PAD50DFN 为 -50pA)以及高可靠性(采用 8 引脚 DFN 封装,体积小且非磁性),其连续功耗可达 300mW,工作结温范围为 -55°C 至 +150°C。该系列二极管适用于运算放大器保护和采样保持电路等场景,提供多种封装型号(如 DFN、TO-72、TO-92、SOT-23 等),满足不同应用需求。

在线留言

在线留言