Linear Systems 2N4351 N通道增强型MOSFET

Linear Systems 2N4351 N通道增强型MOSFET

发布时间：2025-03-31 09:11:10 浏览：1216

　　产品名称

　　2N4351 N-通道增强型 MOSFET

　　订购型号：

　　2N4351 TO-72 4L RoHS

　　2N4352 TO-72 4L RoHS

　　2N4351 Die

　　2N4352 Die

　　产品特点

　　直接替代 Intersil 2N4351：兼容 Intersil 的 2N4351 产品。

　　高漏极电流：最大漏极电流(ID)为 20mA。

　　高跨导增益：跨导增益(gfs)为 1000µS。

　　低导通电阻：漏极到源极导通电阻(rds(on))为 300Ω。

　　低漏电流：漏极泄漏电流(IDSS)为 10nA。

　　快速开关特性：

　　开启延迟时间(td(on))：最大 45ns。

　　开启上升时间(tr)：最大 65ns。

　　关闭延迟时间(td(off))：最大 60ns。

　　关闭下降时间(tf)：最大 100ns。

　　绝对最大额定值(25°C 时)

符号	特性	最小值	典型值	最大值	单位	条件
BVDSS	漏极到源极击穿电压	-	25	-	V	ID = 10µA, VGS = 0V
VDS(on)	漏极到源极导通电压	-	1	-	V	ID = 2mA, VGS = 10V
VGS(th)	栅极到源极阈值电压	1	-	5	V	VDS = 10V, ID = 10µA
IGSS	栅极漏电流	-	-	±10	pA	VGS = ±30V, VDS = 0V
IDSS	漏极泄漏电流（关闭状态）	-	-	10	nA	VDS = 10V, VGS = 0V
ID(on)	漏极电流（导通状态）	-	3	-	mA	VGS = 10V, VDS = 10V
gfs	正向跨导增益	-	1000	-	µS	VDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz
rds(on)	漏极到源极导通电阻	-	300	-	Ω	VGS = 10V, ID = 100µA, f = 1kHz
Crss	反向传输电容	-	1.3	-	pF	VDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz
Ciss	输入电容	-	5	-	pF	VDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz
Cdb	漏极到体极电容	-	5	-	pF	VDB = 10V, f = 140kHz

　　温度范围：

　　存储温度：-55°C 至 +150°C。

　　工作结温：-55°C 至 +150°C。

　　最大功耗：

　　连续功耗：350mW(环境温度 25°C)。

　　最大电流：

　　漏极到源极电流：20mA。

　　最大电压：

　　漏极到体极电压：25V。

　　漏极到源极电压：25V。

　　栅极到源极电压：±30V。

　　电气特性(25°C 时)

　　封装

　　封装类型：TO-72 4 引脚封装。

　　应用场景

　　2N4351 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET，适用于以下场景：

　　开关电源：高效率的开关元件。

　　信号处理电路：低导通电阻和快速开关特性使其适合高频信号处理。

　　模拟开关：低漏电流和高跨导增益使其适合高精度模拟电路。

　　保护电路：快速开关特性可用于过流保护和短路保护。

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