Ampleon C5H4850N55D：5GHz 55W GaN Doherty射频晶体管

　　Ampleon C5H4850N55D是一款面向5GHz无线基础设施的55W GaN Doherty射频功率晶体管。产品覆盖4.8GHz至5.0GHz，采用50V漏极供电和8mm × 8mm QFN封装，主要用于5G基站及多载波射频功率放大器。

　　该器件针对Doherty功放架构进行了优化，并集成输入匹配网络，可降低外部匹配电路复杂度。C5H4850N55D还具备较高效率、宽带工作能力和良好的数字预失真性能，适合对功率密度、线性度和PCB面积有较高要求的5GHz功放设计。

　　C5H4850N55D主要参数

　　C5H4850N55D适用于哪些应用?

　　C5H4850N55D主要用于4.8–5.0GHz范围内的无线基础设施，包括：

　　5G宏基站功率放大器;

　　Massive MIMO射频单元;

　　多载波Doherty功放;

　　有源天线系统;

　　5GHz宽带无线通信设备;

　　需要数字预失真的高线性功放。

　　其紧凑的8mm × 8mm QFN封装有利于提高射频板卡功率密度，适合多通道基站系统。

　　C5H4850N55D与G1M3438P70C有什么区别?

　　C5H4850N55D和G1M3438P70C均采用GaN技术，但产品集成程度不同。

C5H4850N55D订购型号

　　C5H4850N55D常见问题

　　C5H4850N55D的工作频率是多少?

　　C5H4850N55D覆盖4800MHz至5000MHz，主要面向5GHz基站和多载波功放。

　　C5H4850N55D的输出功率是多少?

　　该器件标称输出功率为55W，测试条件为5dB增益压缩。实际调制信号平均功率会低于55W。

　　C5H4850N55D采用什么技术?

　　C5H4850N55D采用GaN射频功率技术，并针对Doherty功放应用进行了优化。

　　C5H4850N55D是否已经集成完整Doherty功放?

　　没有。它是一款集成载波和峰值功率单元的GaN Doherty晶体管，但仍需外部输入分配、偏置和射频外围电路。

　　C5H4850N55D采用什么封装?

　　该器件采用8mm × 8mm的QFN-8x8-20-1表面贴装封装。

　　C5H4850N55D主要用于什么设备?

　　主要用于4.8–5.0GHz的5G基站、多载波功放、Massive MIMO射频单元和有源天线系统。

　　Ampleon C5H4850N55D供应与选型

　　立维创展提供Ampleon GaN及LDMOS射频功率器件的选型和供应服务，可协助查询C5H4850N55D产品资料、订购型号、样品、交期及报价。

　　询价时建议提供工作频率、信号制式、平均输出功率、峰均功率比、DPD要求、预计采购数量及项目交付时间，以便进行型号确认。