Ampleon G1M3438P70C：3.4–3.8GHz 70W GaN Doherty功放模块

　　Ampleon G1M3438P70C是一款面向5G Massive MIMO基站的全集成GaN Doherty功率放大器模块。产品覆盖3.4GHz至3.8GHz，峰值输出功率为70W，支持最高400MHz射频带宽，并集成智能偏置控制、温度传感器、I²C接口及快速TDD栅极开关。

　　该模块提供50Ω射频输入和输出，可减少传统分立GaN功放所需的阻抗匹配、偏置补偿及控制电路，适合高通道密度的5G射频单元设计。

　　G1M3438P70C主要参数

　　需要注意，70W指模块在增益压缩条件下的峰值功率等级，并不是5G调制信号下的持续平均输出功率。实际平均功率需要根据峰均功率比、输出回退和线性度要求确定。

　　G1M3438P70C产品特点

　　·集成GaN Doherty功放

　　G1M3438P70C采用Doherty功放架构，可在输出功率回退状态下保持较高效率，适合处理5G OFDM及多载波信号。

　　·覆盖3.4–3.8GHz频段

　　产品支持最高400MHz带宽，可用于3.5GHz附近的5G Massive MIMO系统，并有助于同一功放平台覆盖不同频率配置。

　　·集成智能偏置控制

　　模块内部集成偏置控制IC、温度传感器和非易失性存储器，可根据温度变化自动调整GaN功放的栅极电压，减少外部温度补偿及校准电路。

　　·50Ω射频输入输出

　　G1M3438P70C提供标准50Ω输入和输出，可直接连接常见射频驱动级、滤波器及其他50Ω射频电路，降低功放匹配设计难度。

　　·支持TDD快速切换

　　模块集成快速TDD栅极开关，能够配合5G TDD基站的上下行时隙进行功放开启和关闭，同时也可用于符合频率要求的FDD系统。

　　G1M3438P70C适用于哪些应用?

　　G1M3438P70C主要用于3.4–3.8GHz无线基础设施，包括：

　　5G Massive MIMO基站;

　　多载波射频功率放大器;

　　TDD有源天线单元;

　　32T、64T及多通道射频系统;

　　3.5GHz无线通信设备。

　　其紧凑的12mm × 8mm LGA封装适合高密度射频板卡，可减少单个功放通道占用的PCB面积。

　　G1M3438P70C常见问题

　　G1M3438P70C的工作频率是多少?

　　G1M3438P70C覆盖3.4GHz至3.8GHz，支持最高400MHz射频带宽。

　　G1M3438P70C的输出功率是多少?

　　该模块的峰值输出功率为70W。官方典型调制信号测试点的平均输出功率为8W。

　　G1M3438P70C是分立GaN晶体管吗?

　　不是。G1M3438P70C是一款全集成GaN Doherty功放模块，内部包含射频功放、匹配网络及智能偏置控制功能。

　　G1M3438P70C是否需要外部匹配?

　　模块提供50Ω射频输入和输出，不需要像分立GaN晶体管一样设计完整的低阻抗匹配网络，但仍需设计50Ω射频走线、供电去耦及散热结构。

　　G1M3438P70C主要用于什么设备?

　　该型号主要用于3.4–3.8GHz的5G Massive MIMO基站、有源天线单元及多载波无线通信设备。

　　Ampleon G1M3438P70C供应与选型

　　立维创展提供Ampleon GaN及LDMOS射频功率产品的选型和供应服务，可协助查询G1M3438P70C规格资料、样品、包装型号、交期及报价。

　　询价时建议提供工作频率、TDD或FDD模式、平均输出功率、信号带宽、线性度要求及预计采购数量，以便进行产品确认。