SD11906、SD11907、SD11956与SD11957 SiC半桥模块对比

Solitron Devices的SD11906、SD11907、SD11956和SD11957均为1200V SiC半桥功率模块，内部集成两颗低导通电阻碳化硅MOSFET。四款产品的耐压、电流、导通电阻和封装基本一致，主要区别在于是否集成SiC肖特基续流二极管及NTC温度传感器。

主要参数对比

四个型号均采用3×6B引脚布局，工作及存储结温范围为-55℃至+175℃。其中13mΩ为规定测试条件下的典型导通电阻，SD11906规格书给出的最大值为17mΩ。

SD11906：二极管和温度监测均集成

SD11906是该系列中功能配置较完整的型号。模块在两颗SiC MOSFET两端分别并联1200V SiC肖特基二极管，同时集成NTC温度传感器。

集成肖特基二极管有助于改善续流和换向过程中的反向恢复表现，NTC则便于控制器监测模块温度并实现过温保护。因此，SD11906适合对效率、热保护和系统集成度要求较高的逆变器、电机驱动及航空电源系统。

SD11907：集成温度传感器，不带独立肖特基二极管

SD11907保留了NTC温度监测功能，但内部没有额外并联的SiC肖特基续流二极管，换向电流主要由MOSFET体二极管或外部配置的二极管承担。

该型号适合需要实时监测模块温度，但计划根据电路拓扑自行选择外部续流器件的设计。相比SD11906，SD11907可为工程师提供更灵活的二极管配置方案。

SD11956：集成肖特基二极管，不带温度传感器

SD11956内部集成两颗1200V SiC肖特基续流二极管，但不配置NTC温度传感器，原温度监测引脚为未连接状态。

对于已经在散热器、PCB或系统其他位置设置温度监测，同时希望模块内部具备低反向恢复损耗续流通道的应用，可选择SD11956。

SD11957：基础型SiC半桥模块

SD11957不带独立SiC肖特基二极管，也不集成NTC温度传感器，但仍保留1200V耐压、105A连续电流和13mΩ典型导通电阻。

该型号适合已有外部续流二极管和温度检测电路，或希望减少内部功能、由系统端统一完成保护设计的项目。

四个型号怎么选

需要续流二极管和温度传感器同时集成，优先选择SD11906。

需要温度监测，但希望自行配置续流器件，可选择SD11907。

需要集成SiC肖特基二极管，但不需要模块内部测温，可选择SD11956。

外部已经配置续流和温度监测电路，可以评估SD11957。

系列设计特点

该系列采用紧凑型低剖面结构，并使用AlN基板和CuMo基板提高热传导能力。模块还提供独立的Kelvin源极连接、隔离背板和较低的寄生电感，适合发挥SiC MOSFET的高速开关性能。

典型应用包括开关电源、DC-DC功率转换器、逆变器、电池充电器、机电作动器、电机控制以及航空航天高可靠电源系统。

立维创展可协助确认Solitron SD11906、SD11907、SD11956和SD11957的规格书版本、筛选要求、价格及交期。询价时建议提供完整型号、需求数量、母线电压、开关频率、散热条件及目标应用。