Solitron SiC MOSFET选型：SD11705、SD11707、SD11710与SD11714

Solitron Devices提供面向工业、航空航天及高可靠电源系统的SiC N沟道功率MOSFET。SD11705、SD11707、SD11710和SD11714覆盖700V及1200V耐压，采用气密、隔离式TO-258或TO-257封装，工作结温范围可达-55℃至+175℃。

主要参数对比

SD11705：通用型1200V SiC MOSFET

SD11705额定耐压为1200V，连续漏极电流为50A，导通电阻为32mΩ。该型号采用隔离式TO-258三引脚气密封装，并支持JANTX、JANTXV等级筛选。

SD11705适用于开关电源、谐振电源、DC-DC转换器、PFC电路以及交直流电机驱动等高压功率系统。

SD11707：更低导通损耗的1200V方案

SD11707与SD11705均为1200V、50A器件，但SD11707的导通电阻降低至16mΩ。对于输出电流较大、导通损耗敏感或散热空间受限的电源设计，SD11707通常是更合适的选择。

该型号同样采用TO-258气密隔离封装，支持JANTX和JANTXV筛选，可用于高可靠电源、电机控制、机器人和伺服系统。

SD11710：700V大电流SiC MOSFET

SD11710额定耐压为700V，在壳温25℃条件下连续漏极电流可达140A，典型导通电阻为15mΩ。其特点包括隔离背板、低栅极电荷、低电容和快速开关能力。

对于母线电压不需要1200V耐压，但要求更大电流能力的电机驱动、逆变器及高功率DC-DC转换器，SD11710更具优势。该器件还可提供MIL-PRF-19500相关筛选选项。

SD11714：适合较低电流的1200V设计

SD11714是一款1200V、17A SiC MOSFET，导通电阻为160mΩ，采用TO-257三引脚气密隔离封装。

该型号适合电流要求相对较低，但仍需要1200V耐压和高可靠气密封装的电源、PFC及控制系统。需要注意的是，当前官方SD11714规格书标注为“Provisional”，部分动态及热参数仍为待定状态，正式选型前应确认最新版本资料。

四个型号怎么选

需要1200V、50A的常规方案，可以选择SD11705;需要进一步降低导通损耗，则优先考虑SD11707。

需要700V耐压和大电流能力，可选择SD11710，其140A额定电流和15mΩ导通电阻更适合高功率设计。

对于1200V、较低电流及TO-257气密封装需求，可以评估SD11714，但应先确认正式规格书、筛选等级和供货状态。

典型应用

这些Solitron SiC MOSFET可用于：

高压开关电源和谐振电源

DC-DC功率转换器

PFC功率因数校正电路

AC及DC电机驱动

机器人和伺服控制

航空航天及高可靠电源系统

立维创展可协助提供Solitron SD11705、SD11707、SD11710和SD11714的规格确认、价格、交期及替代选型服务。询价时建议提供完整型号、需求数量、筛选等级、目标应用及交货时间。