Ampleon BLP15M9S70G 70W 1MHz–2GHz LDMOS射频功率晶体管

发布时间:2026-08-06 10:20:22     浏览:126

Ampleon BLP15M9S70G采用LDMOS技术和TO-270-2G-1塑封,支持连续波和脉冲射频工作。其70W功率等级位于BLP15系列的中间档位,可用于915MHz工业射频设备、广播发射机以及HF至2GHz范围内的射频功率放大器。

器件集成双侧ESD保护,并具有较高效率、较高功率增益和良好的负载失配耐受能力。

Ampleon BLP15M9S70G 70W 1MHz–2GHz LDMOS射频功率晶体管

主要技术参数

参数

BLP15M9S70G

制造商

Ampleon

器件类型

LDMOS射频功率晶体管

频率范围

1MHz~2GHz

标称输出功率

70W

工作电压

32V

915MHz CW功率增益

17dB典型值

915MHz CW漏极效率

75%典型值

1400MHz脉冲功率增益

17.6dB典型值

1400MHz脉冲漏极效率

70%典型值

漏源击穿电压

65V最小值

导通电阻

185mΩ典型值

结到壳热阻

1.0K/W典型值

最高结温

225℃

封装

TO-270-2G-1

订购型号

BLP15M9S70GZ、BLP15M9S70GXY

以上性能分别基于915MHz连续波和1400MHz脉冲CW测试条件,实际指标会受到工作频率、偏置、匹配网络、散热条件及输出功率的影响。

产品特点与应用

BLP15M9S70G在较小的塑封器件中提供70W射频输出,适合构建中等功率等级的宽带或窄带功率放大器。在1400MHz额定输出功率条件下,该器件能够承受全相位10:1 VSWR负载失配,有助于提高工业设备和广播系统在负载变化情况下的可靠性。

典型应用包括:

915MHz ISM射频功率设备;

工业、科学和医疗射频系统;

广播发射机功率放大器;

连续波射频功率放大器;

HF、VHF、UHF及L波段功率输出级。

BLP15M9S70G相关型号对比

型号

频率范围

输出功率

1400MHz典型增益

典型效率

封装

适合方向

BLP15M9S30G

10MHz~2GHz

30W

19.3dB

71%

TO-270-2G-1

较低功率、高增益设计

BLP15M9S70G

1MHz~2GHz

70W

17.6dB

70%

TO-270-2G-1

功率、带宽和效率均衡

BLP15M9S70

1MHz~2GHz

70W

17.8dB

65.50%

TO-270-2F-1

已采用2F封装的70W设计

BLP15M9S100G

10MHz~1.5GHz

100W

16dB

66%

TO-270-2G-1

更高输出功率设计

选型建议

需要约30W输出并希望获得较高增益时,可选择BLP15M9S30G;需要70W输出、最高工作频率达到2GHz并采用TO-270-2G-1封装时,BLP15M9S70G更为合适。

BLP15M9S70与BLP15M9S70G虽然均为70W产品,但两者封装版本不同,替换前需要核对PCB焊盘、散热结构和输入输出匹配网络。需要提升至100W输出时,可考虑BLP15M9S100G,但其官方频率上限为1.5GHz。

此外,BLP15H9S10G、BLP15H9S30G和BLP15H9S100G属于同系列驱动型LDMOS晶体管,更适合作为射频功放的驱动级,而BLP15M9S系列主要定位于通用射频功率输出。

常见问题

BLP15M9S70G能否用于915MHz设备?

可以。官方数据给出了915MHz连续波应用性能,在70W输出条件下,典型功率增益为17dB,漏极效率为75%。

BLP15M9S70G支持连续波还是脉冲工作?

两种工作方式均有官方参考数据,包括915MHz连续波以及1400MHz脉冲CW测试结果,具体设计仍需根据占空比和散热条件进行评估。

BLP15M9S70G与BLP15M9S70有什么区别?

两者均为70W、最高2GHz的32V LDMOS功率晶体管,主要差别包括封装版本和官方参考性能。BLP15M9S70G采用TO-270-2G-1,BLP15M9S70采用TO-270-2F-1。

BLP15M9S100G可以直接替换BLP15M9S70G吗?

不建议直接替换。BLP15M9S100G的输出功率、电气参数和最佳负载阻抗不同,且频率上限为1.5GHz,更换后通常需要重新设计匹配网络并验证偏置和散热。

立维创展可提供BLP15M9S70G及相关Ampleon LDMOS射频功率晶体管的型号询价、交期确认和选型支持。

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