Onsemi NTMTSC0D9N08XTXG:面向AI服务器电源的80V T10 MOSFET
发布时间:2026-08-21 14:40:09 浏览:227
NTMTSC0D9N08XTXG是Onsemi PowerTrench T10系列单N沟道MOSFET,额定漏源电压为80V,采用TDFNW8 Dual Cool封装。根据Onsemi官方资料,该型号主要面向云计算电源、5G通信电源、PSU和工业DC/DC系统,终端应用中明确包含AI数据中心。
需要注意的是,这是一款低压大电流硅MOSFET,适合AI服务器电源的48V/54V母线及其下游转换级,不适用于交流输入PFC或400V以上高压母线的主功率开关。

NTMTSC0D9N08XTXG主要参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 | Onsemi |
| 完整型号 | NTMTSC0D9N08XTXG |
| MOSFET技术 | PowerTrench T10硅MOSFET |
| 沟道类型 | 单N沟道 |
| 漏源电压VDSS | 80V |
| 连续漏极电流ID | 396A,TC=25℃ |
| ID,TC=100℃ | 280A |
| 导通电阻RDS(on) | 典型0.76mΩ,最大0.90mΩ,VGS=10V |
| RDS(on),VGS=6V | 典型1.2mΩ,最大1.5mΩ |
| 总栅极电荷Qg | 典型146nC,VGS=10V |
| Qg,VGS=6V | 典型90nC |
| 栅漏电荷Qgd | 典型23nC |
| 栅源电压VGS | ±20V |
| 最大功耗 | 283W,TC=25℃ |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 605mJ |
| 工作结温 | -55℃至+175℃ |
| 结到底部热阻 | 最大0.53℃/W |
| 结到顶部热阻 | 最大0.58℃/W |
| 封装 | TDFNW8 / Power 88 Dual Cool |
| 环保属性 | 无铅,无卤,BFR Free,RoHS |
典型应用
NTMTSC0D9N08XTXG可用于以下AI服务器电源电路:
48V或54V母线输入DC/DC转换器
48V转12V中间总线转换
LLC次级同步整流
服务器电源热插拔开关
冗余电源ORing防倒灌电路
AI服务器电池备份单元BBU
BMS充放电保护开关
多颗MOSFET并联的大电流功率级
Onsemi的数据中心解决方案也将T10低压MOSFET用于服务器电源、DC/DC、多相稳压、热插拔和ORing等功率环节。
常见问题
1. NTMTSC0D9N08XTXG的导通电阻是0.90mΩ吗?
是,但0.90mΩ是VGS=10V、ID=32A条件下的最大值,典型值为0.76mΩ。
2. 该型号可以用于48V AI服务器电源吗?
可以,适合48V母线DC/DC、同步整流、热插拔及ORing电路,但需要验证浪涌和开关尖峰是否留有足够的80V耐压余量。
3. 能否用于服务器交流输入PFC电路?
不能。PFC及高压母线主开关通常需要650V、750V或更高耐压器件,80V MOSFET主要用于低压侧。
4. Dual Cool封装有什么优势?
它支持从器件顶部和底部同时导热,有利于降低热阻并提升功率密度,但需要配合顶部散热片或冷板结构。
5. NTMTSC0D9N08XTXG是碳化硅MOSFET吗?
不是。它是Onsemi PowerTrench T10硅MOSFET,适合低压大电流应用;碳化硅MOSFET通常用于更高电压的高速功率转换。
总结
NTMTSC0D9N08XTXG凭借80V耐压、最大0.90mΩ导通电阻、PowerTrench T10技术及Dual Cool双面散热封装,适合AI服务器电源的48V DC/DC、同步整流、热插拔和冗余电源管理。选型时应重点核算电压尖峰、实际热阻、栅极驱动条件和PCB持续载流能力。
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