D1017UK与D1010UK区别｜Semelab 28V射频MOSFET选型
发布时间：2026-10-28 10:05:28 浏览：10
Semelab D1017UK与D1010UK都是TT Electronics旗下的28V硅DMOS射频功率MOSFET，但两者并不是相同电路结构的不同功率版本。
D1017UK采用单端（Single-Ended）结构，输出功率150W，应用频率1–200MHz；D1010UK采用推挽（Push-Pull）结构，输出功率125W，应用频率1–500MHz。
如果设计的是150MHz附近的单端射频功放，可以优先评估D1017UK；如果需要400MHz附近的推挽式功放，则D1010UK更值得关注。两者封装及匹配电路不同，不能直接互换。
一、D1017UK与D1010UK参数对比
| 参数 | D1017UK | D1010UK |
|---|
| 制造商 | Semelab / TT Electronics | Semelab / TT Electronics |
| 器件类型 | 硅DMOS RF MOSFET | 硅DMOS RF MOSFET |
| 工作电压 | 28V | 28V |
| 输出功率 | 150W | 125W |
| 应用频率 | 1–200MHz | 1–500MHz |
| 功率测试频率 | 175MHz | 400MHz |
| 电路结构 | 单端 Single-Ended | 推挽 Push-Pull |
| 最低功率增益 | 13dB | 10dB |
| 最低漏极效率 | 50% | 50%（PDF Issue 2） |
| 漏源击穿电压 | 70V | 70V（每侧） |
| 静态漏极电流 IDQ | 0.6A | 2A |
| 结壳热阻最大值 | 0.8℃/W | 0.45℃/W |
| 封装 | DM | DR |
| 引脚数量 | 4 | 5 |
注意： D1017UK的150W、13dB参数是在175MHz条件下测得；D1010UK的125W、10dB参数对应400MHz测试条件。因此，不能直接以表格中的输出功率和增益判断哪个型号性能更好。
二、单端与推挽结构有什么区别？
这是D1017UK与D1010UK选型时最重要的差异。
1. D1017UK：单端射频功放结构
D1017UK采用单端RF MOSFET结构，使用一组栅极、漏极和源极连接，适合根据目标频率设计单端功率放大级。
其主要特点包括：
150W输出功率，原厂测试频率175MHz；
适用于1–200MHz射频应用；
最低功率增益13dB；
采用DM封装，需要对应的安装和匹配设计。
对于已有单端功放架构的项目，选择D1017UK时应重点检查目标频率下的增益、输出功率、负载阻抗及散热要求。
2. D1010UK：推挽射频功放结构
D1010UK采用推挽结构，器件内部具有两侧RF FET单元，共用源极连接，并分别引出栅极与漏极。
在推挽功放设计中，通常需要输入分配、相位平衡以及输出合成和匹配网络。
D1010UK的主要特点包括：
125W输出功率，原厂测试频率400MHz；
应用频率覆盖1–500MHz；
最低功率增益10dB；
DR五端子封装，适用于相应的推挽功放布局。
推挽结构可以用于降低特定电路设计中的偶次失真分量，但实际效果取决于器件平衡、偏置、匹配网络及整体电路设计，不能仅凭器件结构保证线性度。
三、150W与125W如何选择？
D1017UK的标称输出功率比D1010UK高25W，但两款器件的测试频率不同。
| 应用需求 | 建议优先评估 | 主要原因 |
|---|
| 100–175MHz单端功放 | D1017UK | 175MHz下有150W性能指标 |
| 200MHz以下推挽功放 | D1010UK | 推挽结构，但需验证实际频点性能 |
| 400MHz附近功放 | D1010UK | 原厂提供400MHz、125W测试指标 |
| 300–500MHz射频应用 | D1010UK | D1017UK应用范围仅到200MHz |
| 已有DM封装PCB | D1017UK | 封装及引脚结构更容易与既有方案一致，仍需核对 |
实际项目中，还应检查工作制式、连续或脉冲工作状态、线性度、效率及散热能力。
例如，对于175MHz、150W的设计，D1017UK有明确的原厂测试指标，而D1010UK是否能在175MHz满足同样输出功率，需要通过匹配设计与实测验证。
四、D1017UK和D1010UK能直接替换吗？
不能直接替换。
虽然两款器件都使用28V供电，但至少存在以下差异：
封装与引脚不同
D1017UK采用DM四端子封装：
Pin 1：Source
Pin 2：Drain
Pin 3：Source
Pin 4：Gate
D1010UK采用DR五端子封装：
Pin 1：Source（公共源极）
Pin 2：Drain 1
Pin 3：Drain 2
Pin 4：Gate 2
Pin 5：Gate 1
两款器件的机械尺寸、引脚定义与安装布局不一致，不能作为简单引脚兼容替代。
射频匹配网络不同
D1017UK是单端功率管，D1010UK为推挽功率管。更换器件通常意味着重新评估输入输出匹配、偏置电路及信号合成方式。
工作频率与增益不同
如果原设备工作在400MHz附近，D1017UK的原厂应用频率范围不覆盖这一频点，因此不建议把它作为D1010UK的直接替代型号。
对于旧设备维修，建议提供原型号、工作频率、输出功率及PCB尺寸，由工程人员评估是否需要重新设计功放电路。
五、D1017UK和D1010UK采购注意事项
目前TT Electronics原厂产品页面均将D1017UK与D1010UK标注为Active (Mature)，即成熟期在售型号，不代表供应商一定有库存。
采购人员应重点确认：
完整型号和原厂产品标识；
DM或DR封装是否符合项目要求；
是否需要原厂规格书、批次及追溯资料；
实际采购数量、价格及交期；
如用于替换，是否已经完成电气与机械兼容性验证。
原厂规格书：
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六、D1017UK与D1010UK选型结论
对于28V射频功率放大器设计：
选择D1017UK： 优先考虑200MHz以内、150W级、单端射频功放设计。
选择D1010UK： 优先考虑500MHz以内、125W级、推挽射频功放设计。
替代选型： 两款型号不能直接互换，需重新核对引脚、偏置、匹配网络及散热条件。
深圳市立维创展科技有限公司提供Semelab射频功率MOSFET相关产品咨询及采购支持。如需了解D1017UK、D1010UK价格、交期或适用型号，可提供实际应用频率、输出功率、封装要求及采购数量，便于进一步核对。
