D1010UK规格书与参数｜Semelab 28V 125W射频MOSFET

Semelab D1010UK是TT Electronics旗下Semelab品牌的硅DMOS射频功率MOSFET，采用28V供电、DR封装及推挽（Push-Pull）结构，主要面向HF/VHF/UHF射频功率放大器设计。

D1010UK的应用频率范围为1–500MHz，在400MHz、28V测试条件下，输出功率为125W，功率增益不低于10dB。工程师选型时需要重点确认实际工作频率、输入输出阻抗匹配、偏置方式和散热条件，而不能仅根据125W额定输出功率判断是否适用。

一、D1010UK主要技术参数

其中125W输出功率、10dB最低增益和50%最低漏极效率对应原厂400MHz测试条件，VDS=28V、IDQ=2A。不同工作频率、匹配网络和散热条件下，实际射频性能需要重新验证。

二、D1010UK适合哪些射频功放设计？

D1010UK适用于需要28V供电、百瓦级射频输出和推挽放大结构的HF/VHF/UHF功放设计，例如通信发射机功率放大级、宽带射频功放及相关射频设备。

设计时应注意：

• 125W不是全频段保证输出。 原厂125W性能指标对应400MHz测试条件，其他频点需要通过匹配设计及样机测试确认。

• 推挽结构需要配套电路。 两侧栅极、漏极分别连接，输入输出匹配、平衡及合成网络应根据实际频率设计。

• 功率管并非50Ω即插即用模块。 原厂提供400MHz参考最佳源阻抗和负载阻抗，用于射频匹配网络设计。

原厂资料在400MHz给出的最佳阻抗参考为：

上述数据用于原厂相应测试条件下的匹配设计，不能直接理解为整机输入输出端口阻抗，也不应直接用于其他频率。

三、D1010UK DR封装与引脚定义

D1010UK采用DR金属法兰封装，共有5个端子，原厂定义如下：

该器件为双侧推挽结构，设计PCB时应按照原厂封装图确认引脚位置和机械尺寸，不能仅凭外观判断与其他射频功率管兼容。

此外，D1010UK原厂资料明确提示封装中含有氧化铍（BeO）陶瓷材料。安装、拆卸和维修过程中不得破坏陶瓷部分，废弃器件需要按照适用的危险废物及电子废物处理要求处置。

四、D1010UK偏置、阻抗匹配和散热注意事项

对于使用D1010UK设计28V功放的工程师，建议重点核对以下问题：

1. 偏置设置

原厂400MHz功率测试条件中，静态漏极电流IDQ为2A。实际设计需要根据工作类别、线性度、功率和热稳定性要求设置偏置，并验证两侧器件工作状态。

2. 输入输出匹配

D1010UK属于射频功率晶体管，需要外围匹配网络。可参考原厂S参数及400MHz最佳源、负载阻抗进行设计，但大信号工作条件下仍需要功率测试验证。

3. 散热设计

D1010UK的结壳热阻最大值为0.45℃/W。125W射频输出并不等于器件内部仅产生125W热量，应根据实际输入直流功率、输出射频功率及工作温度计算耗散功率，合理选择散热器及安装方式。

五、D1010UK采购前需要确认哪些信息？

对于设备维修、射频功放项目采购或批量生产，建议确认：

• 完整型号D1010UK及原厂标识；

• 所需数量、项目交期及批次要求；

• 原厂规格书版本、产品生命周期；

• DR封装是否与现有PCB和散热安装结构匹配；

• 替代需求中实际使用的频率、供电电压及输出功率。

如正在比较不同供电电压的Semelab射频功率器件，也可参考：

Semelab 12.5V、28V、50V射频MOSFET选型

Semelab RF功率MOSFET产品系列选型对比表

六、D1010UK规格书与询价

D1010UK目前在TT Electronics原厂产品页面中标注为Active (Mature)，具体库存及供货周期需要以实际询价确认为准。

查看D1010UK原厂产品资料

下载D1010UK原厂规格书PDF

深圳市立维创展科技有限公司提供Semelab射频功率MOSFET相关产品咨询与采购支持。如需了解D1010UK价格、交期或射频功放选型，可提供完整型号、应用频率、功率要求及采购数量，以便进一步核对。