SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices

发布时间:2023-12-27 09:58:19     浏览:3025

Solitron SD11705 和 SD11707 是两款1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件,采用密封的 TO-258 封装,专为最苛刻的工业、航空航天和国防应用而设计。工作温度范围为-55°C至175°C,两款器件均提供50A的连续漏极电流。SD11705提供 RDS(开)为 32mΩ,而 SD11707 具有 RDS(开)16mΩ。也可根据要求提供 200°C 工作温度。

Solitron SD11705/SD11707碳化硅MOSFET

与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的开关性能,并且随温度的变化最小。由于能量损耗和反向充电显著降低,因此效率水平高于硅,从而在接通和关断阶段产生更高的开关功率和更少的能量。结合高开关频率,这意味着更小的磁性元件,大大减轻了系统的重量和尺寸。

密封封装与高温操作相结合,使SD11705和SD11707非常适合需要小尺寸、轻量和高效率的最坚固的电源和电机控制应用。

SD11705 和 SD11707 提供 COTS、TX、TXV 和空间级筛选。

SD11705SD11707

关于SOLITRON DEVICES

Solitron Devices 总部位于美国佛罗里达州西棕榈滩,为需要极致性能和可靠性的系统制造功率半导体和集成电源解决方案。航空航天、国防、工业和航天领域的客户依靠Solitron的创新产品来开发更小、更轻、更高效的系统级电源解决方案。

更多solitron相关产品信息可咨询立维创展

推荐资讯

  • Broadcom PEX90144|144通道PCIe 6.0高速交换芯片——面向AI数据中心与HPC的核心互连引擎
    Broadcom PEX90144|144通道PCIe 6.0高速交换芯片——面向AI数据中心与HPC的核心互连引擎 2026-03-10 09:02:55

    Broadcom PEX90144 是博通基于 PCIe 6.0 规范开发的 144 通道高速交换芯片,采用 5nm 工艺制程,具备高达 64 GT/s 的单通道速率和向下兼容性,能够灵活划分端口,支持 AI 数据中心、高性能计算及大规模存储等场景,通过非阻塞交换架构实现高带宽、低延迟的设备互联,为多加速器、高速网络和存储提供关键互连枢纽。

  • Microsemi 1N6036A至1N6072A双向瞬态电压抑制器TVS
    Microsemi 1N6036A至1N6072A双向瞬态电压抑制器TVS 2024-11-20 10:21:17

    Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管,具有1500W的高脉冲功率和快速响应时间,适用于保护电子设备免受感性切换、射频感应或雷击效应的影响。这些产品提供5.5V至185V的工作电压范围,采用密封的DO-13金属封装,并提供符合MIL-PRF-19500/507标准的军事等级选项以及RoHS合规的商业等级。它们广泛应用于ESD、EFT和雷击保护,具有广泛的温度工作范围和高可靠性,是高可靠性应用的理想选择。

在线留言

在线留言