Solitron Devices SD11710军用级碳化硅MOSFET

发布时间：2024-01-29 08:56:45 浏览：612

　　Solitron Devices推出的SD11710，是业界首款军用级700V碳化硅 (SiC) N沟道功率MOSFET器件。

　　该SD11710采用极其坚固的气密密封 TO-258 封装，专为最苛刻的工业、航空航天和国防应用而设计。SD11710提供 RDS(开)16mΩ 和 50A 的连续漏极电流。也可根据要求提供 200°C 的工作温度。

　　主要功能包括：

　　低电容和低栅极电荷

　　由于内部栅极电阻 (ESR) 低，开关速度快

　　在高结温下稳定工作，TJ(max) = 175 °C

　　快速可靠的体二极管

　　卓越的雪崩坚固性

　　与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，且随温度的变化最小。由于能量损失和反向充电显著降低，效率水平比硅更高，因此在打开和关闭阶段需要的开关功率更高，所需的能量更少。结合高开关频率，这意味着磁性元件更小，大大减轻了系统重量和尺寸。

　　坚固的封装与高温运行相结合，使该SD11710非常适合要求小尺寸、轻量和高效率的最苛刻的电源和电机控制应用。

　　该SD11710提供 COTS、TX、TXV 和空间级筛选。样品有现货供应。

相关产品推荐：

Solitron宽温金属封装MOS管SD11702-650V

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

上一篇: Super ITS-921超高性能反向卡口电源连接器Glenair

下一篇: 工业RJ45可现场安装电缆连接器