Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间:2025-05-29 09:00:32     浏览:922

  Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引脚封装,低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),具有雪崩能力,气密封装,适用于高可靠性应用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC  N沟道功率MOSFET

  主要参数

  漏源电压(VDS):1200V

  连续漏极电流(ID):25°C时为17A

  导通电阻(RDS(on)):25°C时为160mΩ

  栅极阈值电压(VGS(th)):1.8V~3.6V

  最大功耗(PD):97W

  工作温度(TJ):-55°C~+175°C

  体二极管特性

  正向电压(VSD):4.25V

  反向恢复时间(trr):34ns

  反向恢复电荷(Qrr):197nC

  应用领域

  开关电源

  DC-DC转换器

  PFC电路

  电机驱动

  机器人控制

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