安森美NXH020F120MNF1低热阻SiC MOSFET功率模块

发布时间:2025-10-30 09:26:33     浏览:379

  安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率模块,其中包含一个 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全桥和一个 F1 模块中的 NTC 热敏电阻。NXH020F120MNF1 的推荐栅极电压为 18V – 20V,具有低热阻的 4-PACK 全桥拓扑结构,以及带或不带预涂层热界面材料 (TIM) 的选项,支持压接引脚,是一种无铅、无卤化物的器件,符合 RoHS 标准。

  NXH020F120MNF1 提高了 RDS(开)在更高的电压下,提高效率或功率密度,是高可靠性热接口的灵活解决方案,可广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站、工业电源、AC-DC转换、DC-AC转换、DC-DC转换。常见的终端产品包括电动汽车充电器、储能系统(ESS)、三相太阳能逆变器、不间断电源等。

安森美NXH020F120MNF1SiC MOSFET功率模块

  性能对比:


SiCNXH020F120MNF1传统硅基IGBT
耐压1200V600~1200V
导通损耗超低(20mΩ @25°C)较高(50~100mΩ)
开关速度极快(ns级开关)较慢(μs级开关)
高温性能支持175°C结温通常限制在150°C
系统效率更高(>98%)一般(95~97%)

深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品,欢迎咨询了解。

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