安森美NXH020F120MNF1低热阻SiC MOSFET功率模块

发布时间：2025-10-30 09:26:33 浏览：519

　　安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率模块，其中包含一个 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全桥和一个 F1 模块中的 NTC 热敏电阻。NXH020F120MNF1 的推荐栅极电压为 18V – 20V，具有低热阻的 4-PACK 全桥拓扑结构，以及带或不带预涂层热界面材料 (TIM) 的选项，支持压接引脚，是一种无铅、无卤化物的器件，符合 RoHS 标准。

　　NXH020F120MNF1 提高了 RDS(开)在更高的电压下，提高效率或功率密度，是高可靠性热接口的灵活解决方案，可广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站、工业电源、AC-DC转换、DC-AC转换、DC-DC转换。常见的终端产品包括电动汽车充电器、储能系统(ESS)、三相太阳能逆变器、不间断电源等。

安森美NXH020F120MNF1 SiC MOSFET功率模块

　　性能对比：

	SiC（NXH020F120MNF1）	传统硅基IGBT
耐压	1200V	600~1200V
导通损耗	超低（20mΩ @25°C）	较高（50~100mΩ）
开关速度	极快（ns级开关）	较慢（μs级开关）
高温性能	支持175°C结温	通常限制在150°C
系统效率	更高（>98%）	一般（95~97%）

深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品，欢迎咨询了解。

上一篇: NXP恩智浦MCF5232CVM150 32位工业级MPU微控制器

下一篇: AirBorn M系列D-Sub和Micro-D连接器