安森美NXH020F120MNF1低热阻SiC MOSFET功率模块
发布时间:2025-10-30 09:26:33 浏览:379
安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率模块,其中包含一个 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全桥和一个 F1 模块中的 NTC 热敏电阻。NXH020F120MNF1 的推荐栅极电压为 18V – 20V,具有低热阻的 4-PACK 全桥拓扑结构,以及带或不带预涂层热界面材料 (TIM) 的选项,支持压接引脚,是一种无铅、无卤化物的器件,符合 RoHS 标准。
NXH020F120MNF1 提高了 RDS(开)在更高的电压下,提高效率或功率密度,是高可靠性热接口的灵活解决方案,可广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站、工业电源、AC-DC转换、DC-AC转换、DC-DC转换。常见的终端产品包括电动汽车充电器、储能系统(ESS)、三相太阳能逆变器、不间断电源等。


性能对比:
| SiC(NXH020F120MNF1) | 传统硅基IGBT | |
| 耐压 | 1200V | 600~1200V |
| 导通损耗 | 超低(20mΩ @25°C) | 较高(50~100mΩ) |
| 开关速度 | 极快(ns级开关) | 较慢(μs级开关) |
| 高温性能 | 支持175°C结温 | 通常限制在150°C |
| 系统效率 | 更高(>98%) | 一般(95~97%) |
深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品,欢迎咨询了解。
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