安森美SiC MOSFET技术引领高效能源的未来

发布时间：2025-11-05 09:01:05     浏览：360

　　为什么选择SiC?

　　相比传统硅器件，碳化硅(SiC)具有明显优势：

　　耐压更高(10倍于硅)

　　耐温更好(3倍于硅)

　　发热更低

　　开关更快

安森美SiC MOSFET技术引领高效能源的未来

　　安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心优势

　　安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展现出显著的技术亮点：

　　超低导通电阻(RDSon)：大幅降低传导损耗

　　优化的栅极驱动(Rg=1.81Ω)：实现更快开关速度

　　无阈值电压漂移：长期稳定性优于竞品

　　高dv/dt耐受能力(>100V/ns)：抗干扰性强

　　应用案例：在太阳能逆变器中，采用SiC MOSFET可降低系统损耗达30%，效率轻松突破98%。

1200V/900V SiC MOSFET

　　主要应用场景

　　1. 太阳能逆变器

　　特点：效率更高(>98%)、体积更小

　　趋势：

　　小型逆变器：采用SiC分立器件

　　大型逆变器：逐步转向全SiC模块

　　2. 电动车充电

　　快充桩：必须使用SiC

　　充电更快

　　设备更小

　　发热更少

　　典型案例：特斯拉超充已全面采用SiC

安森美SiC MOSFET

深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品，欢迎咨询了解。

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