SD5400CY四通道N沟道横向DMOS开关Linear Systems
发布时间:2025-10-22 09:25:59 浏览:459
Linear Integrated Systems的SD5400CY是四通道N沟道横向DMOS开关,属于SD5000/5400系列的一员,具有以下核心特性:
结构:4个独立双向增强型MOSFET集成于单一芯片,采用双扩散工艺和横向构造。
保护:栅极内置齐纳二极管保护,防止静电损伤。
封装:SOIC-14窄体塑料封装,符合RoHS标准。

同系列型号对比:
| 型号 | V(BR)DS | rDS(on)@5V | 封装 | 适用信号范围 |
| SD5400CY | 20V | 75Ω | SOIC-14 | ±10V |
| SD5401CY | 10V | 75Ω | SOIC-14 | ±5V |
| SD5000N | 20V | 70Ω | PDIP-16 | ±10V |
关键参数:
| 参数 | 值/条件 | 说明 |
| V(BR)DS最小 | 20V | 漏源击穿电压(SD5000/5400系列为20V,SD5001/5401为10V)。 |
| rDS(on)最大 | 75Ω @ VGS=5V | 导通电阻,低至75Ω(5V驱动时),确保低信号损耗。 |
| Crss最大 | 0.5pF | 反向传输电容极小,适合高频应用。 |
| 开关时间(tON) | 典型0.5ns,最大1ns | 超高速开关,适用于纳秒级切换场景。 |
| 阈值电压VGS(th) | 最大1.5V | 低开启电压,简化驱动电路设计。 |
特性与优势
高频性能:
超低电容(0.2pF反向电容)减少插入损耗和串扰,适合视频/射频信号切换。
1ns级导通时间,满足像素级切换需求(如图像传感器)。
可靠性:
齐纳保护栅极,增强ESD耐受能力。
工作温度范围:-55°C至150°C。
电源兼容性:
支持单电源供电(5V驱动即可实现低导通电阻)。
应用场景
高速模拟开关:视频信号路由、DAC去毛刺电路。
采样保持电路:ADC前端的高速采样。
多路复用器:多通道信号选择,如测试设备中的矩阵切换。
驱动电路:激光二极管或LED阵列的快速脉冲控制。
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