Linear Systems J201高增益N沟道JFET

发布时间：2025-09-02 08:39:36     浏览：3059

　　Linear Systems J201高增益N沟道JFET，低噪声信号链设计，适用于高增益、低功耗或高阻抗放大器场景。

Linear Systems J201高增益N沟道JFET

　　J201关键特性

　　优点

　　高输入阻抗：减少信号源负载效应。

　　低截止电压：适合低电压应用(如电池供电)。

　　低噪声：适用于音频和传感器信号放大。

　　封装选项

　　TO-92(直插)：低成本，传统封装。

　　SOT-23(贴片)：表面安装，适合自动化组装。

　　提供卷带包装(Tape-and-Reel)及裸片(Die)形式。

　　典型应用场景

　　电池供电放大器

　　传感器抗极化电路

　　音频前置放大器

　　红外探测器放大器

　　相移振荡器

　　电流限制器

　　低/高源阻抗电路的低频噪声抑制

　　电气特性与工作原理

　　N沟道JFET结构

　　N型材料：作为栅极(Gate)。

　　P型材料：两端分别为漏极(Drain)和源极(Source)，可互换。

　　偏置与工作模式

　　开启条件：漏极电压(+VDD)为正，栅极电压(VG=0V)时电流最大。

　　关闭条件：负栅极电压减少电流直至截止(OFF区)。

　　增益特性：增益随栅极负电压增加而降低。

　　开关行为

　　ON状态：低导通电阻(近似短路)。

　　OFF状态：极高电阻(近似开路)。

　　开关速度：由栅极电容和RC时间常数决定。

　　N沟道JFET特性曲线：

N沟道JFET特性曲线：

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