IRFP4768PbF功率MOSFET英飞凌(Infineon)
发布时间:2024-03-28 11:25:04 浏览:771
IRFP4768PbF是英飞凌(Infineon)生产的StrongIRFET™功率MOSFET,采用TO-247封装,适用于250V单N沟道设计。
StrongIRFET™功率MOSFET系列经过专门优化,具有低RDS(on)和高电流承受能力,特别适用于对性能和可靠性要求较高的低频应用场景。该系列产品广泛应用于直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器等领域。
特点:
- 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 符合JEDEC标准认证要求
- 采用行业标准通孔电源封装
- 具有高电流额定值
优势:
- 来自分销合作伙伴的广泛可用性
- 符合行业标准资质等级
- 标准引脚排列,可直接替换使用
- 高功率密度
潜在应用:
- SMPSUPS
- 太阳能逆变器
- 直流电机驱动
应用领域:
- 不间断电源(UPS)
- 单相组串式逆变器解决方案
- 离线UPS中的高频变压器
规格参数:
- ID (@25°C) max:93 A
- 安装方式:THT
- 工作温度范围:-55°C 到 175°C
- 最大功耗:520 W
- 封装形式:TO-247
- 极性:N沟道
- 输入电荷QG (typ @10V):180 nC
- 输出电荷Qgd:72 nC
- 开启时的导通电阻RDS(on) (@10V) 最大值:17.5 mΩ
- 导热阻抗 RthJC 最大值:0.29 K/W
- 最高结温:175°C
- 最大耐压:250 V
- 门极-源极阈值电压VGS(th):4 V至5 V
- 最大门极-源极电压VGS:20 V
深圳市立维创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。
推荐资讯
Ampleon BLF242功率MOS晶体管是一款专为HF/VHF发射器设计的硅N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管,具有高功率增益、低噪音、良好的热稳定性和可靠性。它适用于25200兆赫频率范围,提供13-16分贝的功率增益和50-60%的漏极效率,适用于专业发射器应用。
Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840、LS841、LS842是低噪声、低漂移、低电容的单片双N沟道JFET放大器,专为高性能模拟信号处理设计。其关键特性包括超低噪声、超低漏电流、低温度漂移、低偏移电压、宽温度工作范围、高可靠性;电气性能方面,有特定的最大电压和电流承受能力、最大功耗,具备高跨导、高共模抑制比、低噪声系数;提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多种封装选项;适用于音频放大、精密测量设备、传感器信号调理等高精度高可靠性应用。
在线留言