英飞凌IPW90R120C3 N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-03-29 09:33:05 浏览:746
Infineon英飞凌IPW90R120C3是一款N沟道功率MOSFET,属于CoolMOS™ P7系列,是CoolMOS™ C3的升级替代产品。
CoolMOS™ C3是英飞凌于2001年推出的第三代CoolMOS™系列产品,是其产品组合的主打产品之一。
特点:
- 具有低导通电阻(RDS(on)* A)
- 在400V时具有低能量储存输出电容(Eoss)
- 低栅极电荷(Qg)
- 经过实践验证的CoolMOS™技术质量
优势:
- 高效率、高功率密度
- 超高成本/性能比
- 高可靠性
- 使用便捷
潜在应用:
- 消费类产品
- 计算机电源适配器
- 照明应用中的CoolMOS™功率晶体管
特性:
- 最低质量指标RON x Qg
- 极限dv/dt额定
- 高峰值电流能力
- 符合JEDEC标准目标应用要求
- 无铅镀铅;通过无铅认证
- 所有全球研发中心中最优秀的TO247
- 超低栅极电荷
CoolMOS™ 900V专为以下应用而设计:
- 准谐振反激/正向拓扑结构
- PC Silverbox和消费者应用程序
- 工业开关模式电源(SMPS)
规格参数:
Parametrics | IPW90R120C3 |
---|---|
ID (@25°C) max | 36 A |
ID max | 36 A |
IDpuls max | 96 A |
Mounting | THT |
Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 417 W |
Package | TO-247 |
Polarity | N |
QG (typ @10V) | 260 nC |
QG | 260 nC |
RDS (on) (@10V) max | 120 mΩ |
RDS (on) max | 120 mΩ |
Rth | 0.3 K/W |
RthJA max | 62 K/W |
RthJC max | 0.3 K/W |
Special Features | price/performance |
VDS max | 900 V |
VGS(th) min max | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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