英飞凌IPW90R120C3 N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-03-29 09:33:05 浏览：826

　　Infineon英飞凌IPW90R120C3是一款N沟道功率MOSFET，属于CoolMOS™ P7系列，是CoolMOS™ C3的升级替代产品。

　　CoolMOS™ C3是英飞凌于2001年推出的第三代CoolMOS™系列产品，是其产品组合的主打产品之一。

　　特点：

　　- 具有低导通电阻(RDS(on)* A)

　　- 在400V时具有低能量储存输出电容(Eoss)

　　- 低栅极电荷(Qg)

　　- 经过实践验证的CoolMOS™技术质量

　　优势：

　　- 高效率、高功率密度

　　- 超高成本/性能比

　　- 高可靠性

　　- 使用便捷

　　潜在应用：

　　- 消费类产品

　　- 计算机电源适配器

　　- 照明应用中的CoolMOS™功率晶体管

　　特性：

　　- 最低质量指标RON x Qg

　　- 极限dv/dt额定

　　- 高峰值电流能力

　　- 符合JEDEC标准目标应用要求

　　- 无铅镀铅;通过无铅认证

　　- 所有全球研发中心中最优秀的TO247

　　- 超低栅极电荷

　　CoolMOS™ 900V专为以下应用而设计：

　　- 准谐振反激/正向拓扑结构

　　- PC Silverbox和消费者应用程序

　　- 工业开关模式电源(SMPS)

规格参数：

Parametrics	IPW90R120C3
ID (@25°C) max	36 A
ID max	36 A
IDpuls max	96 A
Mounting	THT
Operating Temperature min max	-55 °C 150 °C
Ptot max	417 W
Package	TO-247
Polarity	N
QG (typ @10V)	260 nC
QG	260 nC
RDS (on) (@10V) max	120 mΩ
RDS (on) max	120 mΩ
Rth	0.3 K/W
RthJA max	62 K/W
RthJC max	0.3 K/W
Special Features	price/performance
VDS max	900 V
VGS(th) min max	3 V 2.5 V 3.5 V

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