Solitron 2N3957/2N3958小信号JFET

发布时间：2024-04-07 10:02:28     浏览：2202

　　Solitron 2N3957/2N3958小信号JFET是一种双通道N型沟道结型场效应晶体管(JFET)。它们被设计为具有高输入阻抗，特别适用于中到高频的高输入阻抗应用。其典型噪声为6nV/Hz，并具有低CIS(栅源电容)，典型值为3.5pF。这些元件被用作其他2N3957和8个部件的替代品。

Solitron 2N3957/2N3958小信号JFET

　　Solitron 2N3957/2N3958具有反向栅源和栅漏电压为-50V的绝对最大额定值，连续正向栅电流为50mA，连续器件功耗为250mW。此外，它们的操作结温范围为-55到150℃，存储温度范围为-65到175℃。

　　从应用方面来看，Solitron 2N3957/2N3958适用于高速应用，如开关电源和功率放大器等。它们的T0-71封装是密封的，适用于军事应用。此外，还可以提供定制规格、匹配和包装选项。

规格参数：

PARAMETER SYMBOLVALUEUNIT
Reverse Gate Source and Gate Drain VoltageVMGS-50V
Continuous Forward Gate CurrentIFG50mA
Continuous Device Power DissipationP₀250mW
Power DeratingP4.3mW/℃
Dperating Junction TemperatureTJ-55 to 150℃
Storage TemperatureTSIG65 to 175℃

Solitron 是世界领先的标准 QPL JAN/JANTX/JANTXV 小信号 JFET 制造商。Solitron 的 JFET 产品具有低导通电阻、低电容、良好的隔离和快速开关等特点。高辐射耐受性和空间级处理使其成为卫星应用的理想选择。立维创展授权代理Solitron 产品，价格优惠，欢迎咨询。

上一篇: MRO-50低SWaP-C小型铷原子钟Safran

下一篇: EN5322QI电源模块Intel

推荐资讯

  • SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices
    SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices 2023-12-27 09:58:19

    Solitron​ SD11705 和 SD11707 是两款1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件，采用密封的 TO-258 封装，专为最苛刻的工业、航空航天和国防应用而设计。工作温度范围为-55°C至175°C，两款器件均提供50A的连续漏极电流。SD11705提供 RDS(开)为 32mΩ，而 SD11707 具有 RDS(开)16mΩ。也可根据要求提供 200°C 工作温度。

  • Semelab D1028UK 300W射频功率晶体管
    Semelab D1028UK 300W射频功率晶体管 2025-12-18 09:00:38

    Semelab D1028UK是一款高性能DMOS工艺金属栅极硅FET晶体管，关键参数包括28V工作电压、438W最大功耗、70V漏源击穿电压及0.4°C/W优异热阻特性，特别适用于广播通信、工业加热和军事射频系统等高功率高频应用场景。

在线留言

在线留言