ADI晶圆的制取包括衬底制取和外延性工艺。衬底是由半导体材料单晶材料制作而成的晶片。该基板可直接进入晶圆制造流程以生产制造半导体元器件或外延性晶圆。外延性是指在单晶衬底上生长一层新单晶的流程。
MICRON DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供额外的传输速率。除去优质的性能指标,MICRON DDR3有一个较低的工作频率范围。结果显示可能是应用领域更高的传输速率来执行系统,与此同时消耗相等或更少的系统输出功率。
DEI BD429 ARINC线路驱动电路是一种双极单片集成电路芯片,致力于满足多种通用航空串行数据总线规范的需求。这些规范包括差分双极RZ类型(如ARINC 429、ARINC 571和ARINC 575)和差分NRZ类型(如RS-422规范)。
TI 德州仪器电流感测放大器采用独特的前端结构,使放大器的输入电压超过电源电压,并带有集成电阻,提高了精度和稳定性。
DATEL采样保持放大器(sample/hold)也被称作采样保持电路。当模拟信号转换成为A/D时,需要相应的转换时长。在此转换时长内,模拟信号应保持基本性不变,以保证转换精度。DATEL采样保持电路是完成这一基本功能的控制电路。DATEL采样保持放大器适用于信号处理系统、事件分析和许多其它应用领域。
IR HiRel线性稳压器(LDO)是一种易于使用的电源办理计划,输出电压巩固,静态电流低,输入电压宽,杂音低,封装小。
HOLT IC最新的MIL-STD-1553系列Mamba TM为客户提供了世界上最小的解决方案,可选择用于常见应用配置的设备以节省成本。HOLT IC提供BC / MT / RT,BC / RT,RT / MT和RT组合。所有设备都是片上集成收发器,封装在48针塑料QFP或6毫米x 6毫米QFN中,带有4线40MHz主机串行外围接口(SPI)。
Q-Tech公司为通信、无线电、雷达、导弹和航空电子等商业和高度可靠的军事应用提供最先进的混合晶体振荡器。Q-Tech提供完整的美国振荡器和晶体制造能力。所有的Q-Tech产品在设计、质量、准时交货和一流的客户服务方面都达到了Q-Tech的最高标准。Q-Tech致力于为客户提供领先的频率控制解决方案。
Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核,该核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋层(SOTB)工业技术的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基准中,ULPMark-CP评分非常高,达到705。
ADI又称亚德诺半导体,是全世界设计,生产制造和销售高性能模拟,混合信号和数字信号处理(DSP )集成电路集成电路(IC )的领先企业。ADI拥有世界上最好的模拟芯片技术和广泛的芯片设计专利。其晶圆产品通常采用高可靠性的产品包装。
MICROND DR4S DRAM是一种高带宽电子计算机储存器标准规范。它隶属于SDRAM系列储存器产品,提供比DDR3 SDRAM更强的性能指标和更低的电流电压,是全新的储存器标准规范。
DEI为航空电子和工业市场提供30多个离散数字接口IC。这些机器设备承受六个或八个并行处理输入。一些型号规格将并行处理输入转换为SPI串行数据流,并满足ABD0100H(空中客车指令)。全系列离散到数字产品包括do-160d防雷保护,以确保系统寿命。
TI德州仪表放大器将高精密信号调整提升到一个新的技术水平,集成化电阻网络能够最大限度地提升精密度和空间工作效率。
DATEL多通道数据采集系统具备用途广泛,性能全面、多通道差分或单端选择、MIL-STD-883滤波可靠性高等特点。
IR-HiRel氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容,非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率,降低了系统的整体成本,而且允许更高的工作频率,提高了功率密度和系统的整体效率。
HOLT IC的MIL-STD-1553解决方案是行业内最小、最具成本效益的解决方案,提供了单片芯片上的整体1553接口。
Q-Tech公司推出了QT 780系列、QT 723和QT 735振荡器,用于新的空间和低地球轨道(LEO)应用,可提供高达50 kRad(Si)的TID辐射容限。Q-Tech新空间的晶体振荡器的各种尺寸的引线和SMT封装的封装尺寸从2.5x3.2mm到8.89x13.97mm。
Renesas RZ系列产品根据32位和64位arm的高端微处理器(MPU)为未来智能社会发展提供了所需要的处理方案。利用各种基于ArmCortex®-A7、A9、A15、A53、a57和R4,技术工程师可以高效实现高清晰度工业触摸屏(HMI)、嵌入式视觉效果、嵌入式人工智能(e-ai)和实时处理,及其工业以太网衔接。
20世纪50年代,锗(GE)最开始是用作分立器件的半导体材料。ic集成电路的出现是半导体工业化向前迈开的重要一步。1958年7月,德克萨斯州达拉斯的德州仪器公司杰克·基尔比生产制造了第一个以锗半导体材料为衬底的ic集成电路。
MICRON公司的QLC NAND技术提供了功能、容量、性能和价值,以在性能至关重要、SSD历来过于昂贵的环境中挑战HDD。借助QLC SSD,可以快速访问和分析性能敏感的读取密集型工作,从而为业务提供能力--例如实时分析、机器学习、人工智能、大数据、内容传递、用户身份验证等等。
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