Microsemi 2N6782是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，具有以下特点：

　　绝对最大额定值(在Tc = +25°C时，除非另有说明)

　　漏源电压(Vds)：100 Vdc

　　栅源电压(Vgs)：± 20 Vdc

　　连续漏极电流(Ic)：3.5 Adc(在Tc = +25°C时)，2.25 Adc(在Tc = +100°C时)

　　最大功率耗散(Pd)：15 W

　　漏源导通电阻(Rds(on))：0.61 Ω(在Vgs = 10Vdc时)

　　工作和存储温度：-55°C至+150°C

　　电气特性(在TA = +25°C时，除非另有说明)

　　漏源击穿电压(V(BR)DSS)：100 Vdc

　　栅源阈值电压(V(th)(SS))：2.0 Vdc(最小)，4.0 Vdc(最大)

　　栅极电流(Igss)：± 100 nAdc(在Vds = ± 20V时)，± 200 nAdc(在Vds = ± 80V时)

　　漏极电流(Idss)：25 μAdc(在Vgs = 0V时，Vds = 80V时)

　　静态漏源导通电阻(Rds(on))：0.60 Ω(在Vgs = 10V时，I_D = 2.25A时)，0.61 Ω(在Vgs = 10V时，I_D = 3.5A时)

　　二极管正向电压(Vf(DSS))：1.08 V(在Vgs = 0V时，I_D = 2.25A时)，1.5 V(在Vgs = 0V时，I_D = 3.5A时)

　　动态特性

　　栅极电荷(Qg)：8.1 nC(最小)，40 nC(最大)

　　输入电容(Ciss)：8.1 nF(最小)，45 nF(最大)

　　输出电容(Coss)：8.1 nF(最小)，45 nF(最大)

　　反向传输电容(Crss)：4.5 nF

　　开关特性

　　开关时间测试：I_D = 3.5A，Vgs = 10Vdc

　　传输延迟时间(t_d)：15 ns(最小)，45 ns(最大)

　　上升时间(t_r)：25 ns(最小)，200 ns(最大)

　　关闭延迟时间(t_f)：25 ns(最小)，200 ns(最大)

　　下降时间(t_f)：180 ns(最大)

　　这款MOSFET适用于需要高电压和电流处理能力的电子设备，如电源管理、电机驱动和逆变器等应用。Microsemi 是美国高可靠性电子元器件厂商，其军级二三级管产品，被广泛应用于全球高端市场，深圳市立维创展科技有限公司，授权代理销售Microsemi军级二三级产品，大量原装现货，欢迎咨询。