1N5772是一款低电容二极管阵列，由多个独立的隔离结组成，通过平面工艺制造，并封装在10引脚的陶瓷扁平封装中。这些二极管用作转向二极管，保护多达八个I/O端口免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)或浪涌的影响，通过将它们导向正电源线和地线。可以添加外部TVS二极管以防止电源轨上的过电压。它们也可用于快速开关核心驱动器应用，包括计算机和外围设备，如磁芯、薄膜存储器、镀线存储器等，以及解码或编码应用。这些阵列提供了集成电路的许多优势，如高密度封装和提高的可靠性。

特性与应用：

密封陶瓷封装。

隔离二极管消除串扰电压。

高击穿电压VBR > 60V(10μA)。

低漏电流IR < 100nA(40V)。

低电容C < 8.0pF。

提供符合MIL-PRF19500/474标准的JAN、JANTX、JANTXV和JANS筛选选项，通过在零件号前分别添加MQ、MX、MV或MSP前缀来指定。例如，MX1N5772表示JANTX筛选。

适用于高频数据线、RS-232 & RS-422接口网络、以太网10 Base T、计算机I/O端口、局域网、开关核心驱动器等。

符合IEC 61000-4兼容性标准。

最大额定值(机械和包装)：

反向击穿电压：60Vdc。

连续前向电流：300mA dc。

峰值浪涌电流(tp=1/120s)：500mA dc。

每个结在25°C时的功率耗散：400mW。

每个封装在25°C时的功率耗散：500mW。

工作结温范围：-65至+150°C。

存储温度范围：-65至+200°C。

重量：约0.25克。

电气特性(每个二极管)：

最大前向电压VF1：在100mA时测量。

最大前向电压VF2：在500mA时测量。

最大反向电流IR1：在40V时测量。

最大电容(引脚到引脚)Ct：在0V和1MHz频率下测量。

最大前向恢复时间tfr：在500mA时测量。

最大反向恢复时间trr：在200mA时测量。

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