1N6101是一款低电容二极管阵列，由多个独立的隔离结构成，采用平面工艺制造，并封装在16引脚的DIP(双列直插式封装)中。这些二极管用于保护多达八个I/O端口免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)或浪涌的影响，通过将它们导向电源线的正极或接地。可以在外接TVS(瞬态电压抑制)二极管以防止电源线上的过电压。此外，它们也可用于快速开关核心驱动器应用，包括计算机和外围设备，如磁芯、薄膜存储器、镀线存储器等，以及解码或编码应用。这些阵列提供了集成电路的许多优势，如高密度封装和提高的可靠性，这是由于减少的放置操作、更小的占用空间、更轻的重量以及消除了各种可能不利于PCB安装的离散封装。

　　特点：

　　密封陶瓷封装

　　隔离二极管以消除串扰电压

　　高击穿电压VBR > 75V在5μA时

　　低漏电流IR < 100nA在40V时

　　低电容C < 4.0pF

　　开关速度小于10纳秒

　　根据MIL-PRF-19500/474提供JAN、JANTX、JANTXV等筛选选项

　　应用/优点：

　　高频数据线

　　RS-232和RS-422接口网络

　　以太网：10 Base T

　　计算机I/O端口

　　局域网(LAN)

　　开关核心驱动器　　

　　最大额定值：

　　反向击穿电压：75V

　　连续正向电流：300mA直流电

　　峰值浪涌电流(tp=1/120秒)：500mA直流电

　　每个结点400mW功率耗散@25°C

　　每个封装600mW功率耗散@25°C

　　工作结温范围：-65°C至+150°C

　　存储温度范围：-65°C至+200°C

　　机械和封装：

　　16引脚陶瓷DIP

　　重量：约2.09克

　　标记：标志、零件编号、日期代码

　　引脚#1位于封装顶部凹槽左侧

　　电气特性(每个二极管)@25°C，除非另有说明：

　　最大正向电压VF1：100mA时

　　最大反向电流IR1：40V时

　　最大反向电流IR2：20V时

　　最大电容(引脚到引脚)Ct：0V时，1MHz频率下

　　最大正向恢复时间tfr：100mA时

　　最大反向恢复时间trr：10mA直流电时，1mA直流电时，RL=100欧姆

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