JANTX1N6101低电容二极管阵列Microsemi
发布时间:2024-11-21 09:56:12 浏览:628
1N6101是一款低电容二极管阵列,由多个独立的隔离结构成,采用平面工艺制造,并封装在16引脚的DIP(双列直插式封装)中。这些二极管用于保护多达八个I/O端口免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)或浪涌的影响,通过将它们导向电源线的正极或接地。可以在外接TVS(瞬态电压抑制)二极管以防止电源线上的过电压。此外,它们也可用于快速开关核心驱动器应用,包括计算机和外围设备,如磁芯、薄膜存储器、镀线存储器等,以及解码或编码应用。这些阵列提供了集成电路的许多优势,如高密度封装和提高的可靠性,这是由于减少的放置操作、更小的占用空间、更轻的重量以及消除了各种可能不利于PCB安装的离散封装。
特点:
密封陶瓷封装
隔离二极管以消除串扰电压
高击穿电压VBR > 75V在5μA时
低漏电流IR < 100nA在40V时
低电容C < 4.0pF
开关速度小于10纳秒
根据MIL-PRF-19500/474提供JAN、JANTX、JANTXV等筛选选项
应用/优点:
高频数据线
RS-232和RS-422接口网络
以太网:10 Base T
计算机I/O端口
局域网(LAN)
开关核心驱动器
最大额定值:
反向击穿电压:75V
连续正向电流:300mA直流电
峰值浪涌电流(tp=1/120秒):500mA直流电
每个结点400mW功率耗散@25°C
每个封装600mW功率耗散@25°C
工作结温范围:-65°C至+150°C
存储温度范围:-65°C至+200°C
机械和封装:
16引脚陶瓷DIP
重量:约2.09克
标记:标志、零件编号、日期代码
引脚#1位于封装顶部凹槽左侧
电气特性(每个二极管)@25°C,除非另有说明:
最大正向电压VF1:100mA时
最大反向电流IR1:40V时
最大反向电流IR2:20V时
最大电容(引脚到引脚)Ct:0V时,1MHz频率下
最大正向恢复时间tfr:100mA时
最大反向恢复时间trr:10mA直流电时,1mA直流电时,RL=100欧姆
Microsemi 是美国高可靠性电子元器件厂商,其军级二三级管产品,被广泛应用于全球高端市场,深圳市立维创展科技有限公司,授权代理销售Microsemi军级二三级产品,大量原装现货,欢迎咨询。
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