BAR88-02V硅PIN二极管Infineon英飞凌

发布时间:2024-10-11 09:18:30     浏览:2661

BAR88-02V硅PIN二极管Infineon英飞凌

  BAR88-02V是Infineon英飞凌公司生产的一款硅PIN二极管,它具备以下特性和参数:

  特征描述:

  1. 针对手持应用优化:设计用于手持设备的低电流天线开关。

  2. 非常低的正向电阻:在正向电流(IF)为1 mA时,正向电阻(RF)通常为1.5Ω。

  3. 低电容:在频率高于1 GHz,零伏电压反向偏压下,电容(C)通常为0.28 pF。

  4. 极低信号失真:确保信号传输过程中的信号质量。

  5. 无铅,符合RoHS封装:符合环保要求的无铅封装。

  潜在应用:

  无线通信:如手机、无线局域网(WLAN)等。

  高速数据网络:如LTE、5G等高速通信网络。

  技术参数:

  电容(C)@ VR=0V:0.4 pF

  配置:单管(Configuration Single)

  最大正向电流(IF max):100 mA

  正向电阻(RF):0.6 Ω

  最大反向电压(VR max):80 V

  反向恢复时间(trr):500 ns

TypePackageConfigurationLs(nH)Marking
BAR88-02LRH
BAR88-02V
TSLP-2-7
SC79
single,leadless
single
0.4
0.6
U8
U

  这款二极管因其低电阻和低电容的特性,非常适合用于需要高速开关和低信号失真的应用中。同时,它的环保特性也符合现代电子产品的绿色制造标准。

推荐资讯

  • Rogers RO3210™ 高频层压板电路材料:10.2介电常数
    Rogers RO3210™ 高频层压板电路材料:10.2介电常数 2025-12-15 09:29:53

    RO3210™是Rogers公司RO3200™系列的陶瓷填充高频电路材料,采用玻璃纤维编织增强,具备特定技术规格(如介电常数等多方面参数及对应测试条件、方法)、标准规格(厚度、面板尺寸、铜箔选项),典型应用于汽车电子、通信基础设施、卫星通信、工业设备等场景。

  • Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET
    Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

    Solitron Devices SMF460 MOSFET适用于高电压、高电流应用(如电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路),关键特性包括连续漏极电流10A、导通电阻300mΩ、内置快速恢复二极管、能承受高能量脉冲等;封装为TO-254密封封装,有背面隔离,可进行JANTX、JANTXV筛选;绝对最大额定值、电气规格和热阻等方面有一系列具体参数,如漏源电压650V、结温范围-55°C至150°C、热阻1.08°C/W等。

在线留言

在线留言