Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

发布时间：2024-08-26 10:02:03     浏览：2635

　　IRF7309TRPBF是一款由IR公司生产的第五代HEXFET®功率MOSFET，它采用了先进的处理技术，旨在实现超低的导通电阻，从而在单位硅面积上达到尽可能低的电阻值。这款器件具有优越的速度开关性能和强健的设计，使其成为众多应用中的高效设备。

Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET

　　主要特点：

　　第五代技术：利用最新的技术进步，提供优化的性能。

　　超低导通电阻：N沟道为0.050Ω，P沟道为0.10Ω，有助于减少功率损耗。

　　双N沟道和P沟道MOSFET：在一个封装内集成了两种类型的MOSFET，方便设计。

　　表面贴装：适用于自动化组装，提高生产效率。

　　提供卷带包装：便于大规模生产中的连续供应。

　　动态dv/dt等级：能够处理快速的电压变化率，提高系统的稳定性。

　　快速切换：快速开关特性有助于提高系统效率。

　　无铅：符合环保标准，减少对环境的影响。

　　封装类型：

　　SO-8封装：标准的表面贴装封装，适用于多种电路板设计。

参数：

ParametricsIRF7309
ID (@25°C)   max4 A ; -3 A
Moisture Sensitivity Level1
Ptot (@ TA=25°C)   max1.4 W
PackageSO-8
PolarityN+P
QG (typ @4.5V)16.7 nC ; 16.7 nC
Qgd (typ)5.3 nC ; 6 nC
RDS (on) (@4.5V)   max80 mΩ ; 160 mΩ
RDS (on) (@10V)   max50 mΩ ; 100 mΩ
RthJA   max90 K/W
Tj   max150 °C
VDS   max30 V ; -30 V
VGS(th)   min-1 V ; 1 V
VGS   max20 V

IR HiRel原为美国知名半导体品牌，现被Infineon收购。深圳市立维创展科技有限公司，优势渠道供货IR高可靠性系列产品，欢迎各界前来咨询。

上一篇: PEX89144交换机Broadcom博通

下一篇: FS1525-0600-AL μPOL嵌入式DC-DC电源模块TDK

推荐资讯

  • Solitron Devices低成本1200V碳化硅MOSFET
    Solitron Devices低成本1200V碳化硅MOSFET 2023-11-15 08:49:38

    该SD11702提供 58A 的连续漏极电流和低 RDS(开)50mΩ。该SD11720设计用作功率半导体开关，其阻断电压、导通电阻和结电容的性能优于硅 MOSFET。

  • ​Q-Tech全球领先的高端晶振制造商
    ​Q-Tech全球领先的高端晶振制造商 2020-12-08 16:20:20

    Q-Tech​成立于1972年，旨在为高要求的公司提供最先进的晶体时钟振荡器和频率控制解决方案。Q-Tech坚持以领先的振荡器技术为基础的产品理念，致力于质量，准时交货和客户服务将极大地满足客户及其需求。

在线留言

在线留言