Infineon英飞凌IPC100N04S5-1R2汽车级MOSFET

Infineon英飞凌IPC100N04S5-1R2汽车级MOSFET

发布时间：2024-07-17 08:55:42 浏览：3720

　　英飞凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款专为汽车应用设计的N沟道增强型MOSFET，隶属于OptiMOS™ 5系列。该器件通过了AEC-Q101认证，确保其在汽车环境中的可靠性和稳定性。其主要特点包括极低的导通电阻(RDS(on))仅为1.2 mΩ，以及高达100 A的连续漏极电流(ID)，使其非常适合高效率和高性能的汽车系统设计。

图片8.png

　　主要特点：

　　N沟道增强型模式：适用于正常电平操作。

　　AEC-Q101认证：确保汽车级质量标准。

　　低导通电阻：1.2 mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

　　高连续漏极电流：100 A，支持高负载应用。

　　MSL1等级：适用于260°C的回流焊接。

　　宽工作温度范围：-55°C到+175°C，适应极端环境。

　　环保：符合RoHS标准。

　　100%压敏测试：确保产品质量。

　　产品概要：

　　漏源电压(VDS)：40 V

　　最大导通电阻(RDS(on),max)：1.2 mΩ

　　连续漏极电流(ID)：100 A

　　封装类型：

　　封装：PG-TDSON-8-34

　　标识符：5N041R2

　　最大额定值：

　　持续漏极电流：100 A (在TC=25°C, VGS=10V时)

　　脉冲漏极电流：400 A

　　单次脉冲雪崩能量：480 mJ (在ID=50A时)

　　漏源电压：40 V

　　栅源电压：±20 V

　　功耗：150 W (在TC=25℃时)

　　工作及贮藏温度：-55°C到+175°C

深圳市立维创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

上一篇: PL1374变压器iNRCORE

下一篇: 轨道应用中DC-DC电源模块的选择指南

在线留言

在线留言