1000B-5001单双端口变压器模块iNRCORE
发布时间:2024-04-23 09:31:40 浏览:815
iNRCORE的1000B-5001单双端口变压器模块是一款符合IEEE 802.3标准的电子元件。它具有350微亨(μH)的电感值,最大直流偏置电流为8毫安(mA)。该模块的工作温度范围在-40°C到+85°C之间,存储温度范围则更宽,从-55°C到+125°C。此外,它采用了1000B5001/5002/5003系列的Epoxy Encapsulated Package封装,并使用了无铅的Sn63/Pb37表面处理。
在电气规格方面,该模块具有明确的Insertion Loss(插入损耗)、Return Loss(回波损耗)、Crosstalk(串扰)、CM to CM Rejection(共模抑制比)和DM to CM Rejection(差模共模抑制比)等参数,具体数值在不同频率下有所不同。
Electrical Specifications e 25℃ | |||||||||||||||||
Part Number | Insertion Loss (dB MAX) | Return Loss (dB MIN) | Crosstalk dB MIN) | M to CM Rejection dB MIN) | DM to(M Rejetio dB MIN) | ||||||||||||
0.10 MHz | 30 MHz | 60 NHz | 100 MHz | 30 MHz | 60 MHz | 80 MHz | 100 MHz | 30 MHz | 60 MHz | 100 MHz | 30 MHz | 60 MHz | 100 MHz | 30 MHz | 60 MHz | 100 MHz | |
1000B-5001 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 18 | 12 | 10 | 8 | 43 | 37 | 33 | 40 | 35 | 30 | 43 | 37 | 30 |
1000B-5001X | 1.4 | 1.4 | 1.4 | 1.4 | 18 | 12 | 10 | 8 | 43 | 37 | 33 | 40 | 35 | 30 | 43 | 37 | 33 |
1000B-5002 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 18 | 14 | 12 | 10 | 43 | 37 | 33 | 40 | 35 | 30 | 43 | 37 | 33 |
1000B-5002X | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 18 | 14 | 12 | 10 | 43 | 37 | 33 | 40 | 35 | 30 | 43 | 37 | 33 |
1000B-5003 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 18 | 14 | 11 | 9 | 43 | 37 | 33 | 40 | 35 | 30 | 43 | 37 | 33 |
1000B-5003X | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 18 | 14 | 11 | 9 | 43 | 37 | 33 | 40 | 35 | 30 | 43 | 37 | 33 |
相关推荐:
下一篇: Tillotson HL-394A化油器
推荐资讯
英飞凌高功率 MOSFET 精选产品组合提供简单且具有价格竞争力的解决方案,这些解决方案应用广泛并且质量可靠。通用高功率MOSFET产品组合涵盖 500 V 至 900 V 的电压等级以及 RDS(on) 值在 180 mΩ 到 3400 mΩ 之间的多种型号器件,产品组合支持 10 余种不同封装,例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引线)等多种类型。
MICRON DDR4 SDRAM是高速动态随机存取储存器,内部配备有x16配置的8列DRAM和X4和X8配置的16列DRAM。MICRON DDR4 SDRAM选用8N预取构造,实现高速运行。8N预取构造与接口相结合,设计适用于在I/O引脚上每时钟周期传输两个数据项。
在线留言