英飞凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET PDP开关

发布时间:2024-04-01 10:15:36     浏览:2853

Infineon英飞凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET,一款专为等离子显示面板(PDP)中的持续工作、能量回收及开关应用量身打造的卓越器件。它采纳了最新的处理技术,实现了每硅面积的超低导通电阻和低脉冲额定值,从而有效降低了功率损耗,提升了系统效率。

这款MOSFET的设计充分考虑了PDP应用的特殊性,其关键参数经过精心优化,以满足PDP维持、能量回收及开关应用中的高性能需求。同时,它具备低脉冲额定值,能够显著减少在PDP运行过程中的功率耗散,实现更为节能的运行模式。

英飞凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET

IRFS4227TRLPBF功率MOSFET的另一大亮点是其出色的热性能。它拥有高达175°C的工作结温,使得在高温环境下仍能保持稳定的工作状态,提升了器件的坚固性。此外,高重复峰值电流能力保证了器件在高负载条件下仍能可靠运行,进一步增强了其稳定性和可靠性。

在响应速度方面,这款MOSFET同样表现出色。它具备低QG和快速响应的特性,使得开关动作更为迅速,有效提升了系统的整体性能。同时,短下降和上升时间也确保了快速切换的实现,进一步提高了系统的动态响应能力。

特性:

先进工艺技术

关键参数优化PDP维持,能量回收和通过开关应用

低脉冲额定值,以减少功率耗散的PDP维持,能量回收和通过开关应用

低QG,快速响应

高重复峰值电流能力,可靠运行

短下降和上升时间快速切换

175°C工作结温,提高坚固性

鲁棒性和可靠性的重复雪崩能力

规格参数:

ParametricsIRFS4227
Budgetary Price €/1k1.57 
I(@25°C)   max62 A
Moisture Sensitivity Level1
MountingSMD
Operating Temperature   min  max-40 °C   175 °C
Ptot   max330 W
PackageD2PAK (TO-263)
PolarityN
QG (typ @10V)70 nC
Qgd23 nC
RDS (on) (@10V)   max26 mΩ
RthJC   max0.45 K/W
Tj   max175 °C
VDS   max200 V
VGS(th)   min  max4 V   3 V   5 V
VGS   max30 V

总的来说,IRFS4227TRLPBF功率MOSFET凭借其卓越的性能和稳定性,成为了PDP驱动应用中的高效、稳健和可靠的器件。无论是在持续工作、能量回收还是开关应用中,它都能发挥出优异的表现,为PDP系统的稳定运行提供有力保障。

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