Infineon英飞凌IRGB15B60KD IGBT芯片
发布时间:2025-02-14 09:18:42 浏览:382
Infineon IRGB15B60KD是一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与超快软恢复二极管的组合器件。
基本特性
低导通电压:采用低 VCE(on) 的非穿透型 IGBT 技术。
低二极管正向压降:二极管的正向压降较低,有助于降低功耗。
10µs 短路能力:能够在 10 微秒内承受短路,具有较强的过载能力。
正温度系数:VCE(on) 随温度升高而增大,有助于并联工作时的电流分配。
超软恢复特性:二极管的反向恢复特性非常柔和,有助于降低电磁干扰(EMI)。
主要参数
集电极 - 发射极电压:600V。
连续集电极电流:25°C 时为 31A,100°C 时为 15A。
脉冲集电极电流:62A。
二极管连续正向电流:25°C 时为 31A,100°C 时为 15A。
最大栅极 - 发射极电压:±20V。
最大功耗:25°C 时为 208W,100°C 时为 83W。
热阻抗
结 - 外壳热阻抗:IGBT 为 0.6°C/W,二极管为 2.1°C/W。
外壳 - 散热器热阻抗:0.50°C/W。
结 - 周围环境热阻抗:典型插件安装为 62°C/W,PCB 安装为 40°C/W。
电气特性
集电极 - 发射极饱和电压:在 15A、VGE=15V、TJ=25°C 时为 1.8V。
栅极阈值电压:3.5V 至 5.5V。
总栅极电荷:56nC 至 84nC。
开关损耗:TJ=25°C 时,总开关损耗为 560µJ 至 785µJ;TJ=150°C 时,总开关损耗为 835µJ 至 1070µJ。
反向恢复特性
反向恢复能量:540µJ 至 720µJ。
反向恢复时间:92ns 至 111ns。
应用场景
该器件适用于对效率和可靠性要求较高的电机控制应用,能够提供高功率密度和低电磁干扰的解决方案。
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