Infineon英飞凌IRGB15B60KD IGBT芯片

发布时间：2025-02-14 09:18:42 浏览：1815

　　Infineon IRGB15B60KD是一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与超快软恢复二极管的组合器件。

　　基本特性

　　低导通电压：采用低 VCE(on) 的非穿透型 IGBT 技术。

　　低二极管正向压降：二极管的正向压降较低，有助于降低功耗。

　　10µs 短路能力：能够在 10 微秒内承受短路，具有较强的过载能力。

　　正温度系数：VCE(on) 随温度升高而增大，有助于并联工作时的电流分配。

　　超软恢复特性：二极管的反向恢复特性非常柔和，有助于降低电磁干扰(EMI)。

　　主要参数

　　集电极 - 发射极电压：600V。

　　连续集电极电流：25°C 时为 31A，100°C 时为 15A。

　　脉冲集电极电流：62A。

　　二极管连续正向电流：25°C 时为 31A，100°C 时为 15A。

　　最大栅极 - 发射极电压：±20V。

　　最大功耗：25°C 时为 208W，100°C 时为 83W。

　　热阻抗

　　结 - 外壳热阻抗：IGBT 为 0.6°C/W，二极管为 2.1°C/W。

　　外壳 - 散热器热阻抗：0.50°C/W。

　　结 - 周围环境热阻抗：典型插件安装为 62°C/W，PCB 安装为 40°C/W。

　　电气特性

　　集电极 - 发射极饱和电压：在 15A、VGE=15V、TJ=25°C 时为 1.8V。

　　栅极阈值电压：3.5V 至 5.5V。

　　总栅极电荷：56nC 至 84nC。

　　开关损耗：TJ=25°C 时，总开关损耗为 560µJ 至 785µJ;TJ=150°C 时，总开关损耗为 835µJ 至 1070µJ。

　　反向恢复特性

　　反向恢复能量：540µJ 至 720µJ。

　　反向恢复时间：92ns 至 111ns。

　　应用场景

　　该器件适用于对效率和可靠性要求较高的电机控制应用，能够提供高功率密度和低电磁干扰的解决方案。

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