Solitron SD11487 SiC半桥电源模块

发布时间：2024-01-18 09:21:54 浏览：1540

　　Solitron Devices SD11487是业界首款用于高可靠性应用的密封碳化硅 (SiC) 功率模块。

　　51mm x 30mm x 8mm 外形采用独特的密封封装形式，是市场上最小的密封高可靠性、高电压半桥产品。集成格式可最大限度地提高功率密度，同时最大限度地降低环路电感。用于功率输出级的 60 mil 引脚隔离在封装的一侧，以实现简单的电源总线，而用于控制信号的另一侧则隔离了 30 mil 引脚。

　　SD11487为半桥配置，带有两个1200V 12mΩ SiC MOSFET。该模块中还包括两个与MOSFET并联的续流1200V SiC肖特基二极管和一个集成NTC温度传感器。额定连续漏极电流为 95A。

　　该SD11487的工作温度为 -55°C 至 175°C，专为最苛刻的应用而设计，例如井下勘探;空间;和航空电子设备。密封铜封装与氮化铝直接键合铜基板相结合，可提供出色的导热性和外壳隔离性。集成的温度检测可实现高电平温度保护。

　　与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，并且随温度的变化最小。由于能量损耗和反向充电显著降低，因此效率水平高于硅，从而在接通和关断阶段产生更高的开关功率和更少的能量。结合高开关频率，这意味着更小的磁性元件，大大减轻了系统的重量和尺寸。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

上一篇: Wi2Wi(PDI)LC滤波器

下一篇: VS-VSK.136/VS-VSK.142/VS-VSK.162晶闸管模块Vishay