onsemi PowerTrench T10 MOSFET：40V与80V型号介绍

　　随着服务器电源、通信电源、工业电源和高功率密度DC-DC转换器不断提高效率要求，功率MOSFET不仅需要更低的导通电阻，还需要兼顾栅极电荷、输出电容、反向恢复性能和封装散热能力。

　　onsemi安森美PowerTrench系列覆盖多种中低压功率MOSFET。其中，PowerTrench T10产品采用先进的屏蔽栅极沟槽技术，通过降低RDS(on)、栅极电荷和寄生电容，帮助电源设计降低导通损耗与开关损耗，并改善高频开关过程中的振铃、过冲和噪声问题。

　　PowerTrench T10 MOSFET主要特点

　　onsemi PowerTrench T10 MOSFET适用于高频率、高电流和高功率密度电源设计，主要特点包括：

　　较低的漏源导通电阻RDS(on)

　　较低的栅极电荷Qg和寄生电容

　　较低的反向恢复电荷Qrr

　　软恢复体二极管设计

　　支持高频同步整流和DC-DC转换

　　提供Source Down、Dual Cool和SO8-FL等封装选择

　　适用于服务器、通信、工业及数据中心电源

　　在实际应用中，较低的RDS(on)有助于减少器件导通损耗，而较低的Qg、Qgd和输出电容则有助于降低驱动损耗和开关损耗。

　　代表型号参数对比

　　40V与80V MOSFET如何选择

　　选择PowerTrench T10 MOSFET时，需要重点考虑以下因素。

　　工作电压

　　对于12V和24V母线，可根据浪涌电压及设计裕量选择40V MOSFET。对于48V通信母线、服务器电源和工业系统，通常需要选择80V或更高耐压等级的器件。

　　导通电阻

　　低RDS(on)有利于降低大电流条件下的导通损耗，但不能只比较一个导通电阻参数，还需要同时考虑测试栅极电压、结温和封装热阻。

　　栅极电荷

　　高频开关应用应重点比较Qg和Qgd。栅极电荷越低，通常越有利于降低驱动损耗并提高开关速度。

　　封装散热

　　Source Down和Dual Cool封装适用于对PCB面积和散热能力要求较高的设计。SO8-FL封装则便于应用在服务器、通信和工业电源的标准功率板设计中。

　　onsemi MOSFET供应与选型支持

　　立维创展提供onsemi安森美高压MOSFET、中低压MOSFET、PowerTrench功率MOSFET及汽车级MOSFET的型号查询、参数核对与供应支持。

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