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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ​IR-HiRel​氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  CYW43907KWBGT Wi-Fi4连接MCU 英飞凌Infineon 2024-07-08 09:27:15

  CYW43907KWBGT是英飞凌AIROC™系列的双频Wi-Fi 4 (802.11n) SoC，搭载320MHz Arm Cortex-R4处理器，2MB SRAM和640KB片上存储器，支持802.11b/g/n双频(2.4/5 GHz)，最高150 Mbps PHY数据速率，内置WLAN PA和LNA，支持外部PA。英飞凌提供ModusToolbox™开发平台，适用于商用暖通空调、工业4.0机器人、多旋翼飞行器、智能建筑、智能温控器等高性能应用，提供快速开发和可靠的无线连接。