- 产品详情
| Product | Blocking Voltage BVDSS (V) | ID(max) (A) | RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ) | Qg Total (nC) | Output Capacitance (pF) | Tj Max (°C) |
| NCS025M3E120NF068-09 | 1200 | 150 | 11 | 204 | 221 | 175 |
| NCS025M3E120NT066-09 | 1200 | 150 | 11 | 204 | 221 | 175 |
NCS025M3E120NF06X 是一款 1200V、11mΩ 的碳化硅(SiC)MOSFET 裸芯片，具有以下特点：
高电压与低导通电阻：1200V 耐压，11mΩ 导通电阻，适合高电压、高效率应用。
高开关频率：支持高频率操作，有助于减小电路尺寸。
高可靠性：通过多种可靠性测试，如高温反向偏置(HTRB)和高温栅极偏置(HTGB)，确保稳定工作。
高雪崩能力：增强系统在过载情况下的安全性。
高阈值电压：降低误开通风险，提高系统稳定性。
应用领域
电动汽车：用于主逆变器和 DC-DC 转换器，提高效率和功率密度。
可再生能源：适用于太阳能和风能发电系统，提升能源转换效率。
工业电源：用于高效率、高功率密度的电源转换。
数据中心和通信电源：降低能耗，提高系统可靠性。
