Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

发布时间：2026-02-25 09:57:09     浏览：194

　　Onsemi NTTFS6H860NL是一款针对高效能电源管理应用优化的N沟道功率MOSFET器件，特别适合空间受限的现代电子设备设计。其核心竞争力体现在将80V耐压能力与极低导通电阻(最低16.5mΩ)集成于业界领先的3.3mm×3.3mm微型封装中，为设计工程师提供了功率密度与能效的完美平衡方案。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

　　关键规格参数

　　漏源击穿电压(V(BR)DSS)：80V

　　连续漏极电流(ID)：30A

　　最大导通电阻(RDS(on))：20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ

　　最大栅源电压(VGS)：±20V

　　脉冲漏极电流(IDM)：122A

　　工作温度范围：-55至+175°C

　　尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)

　　功率耗散(最大值)：3.1W(Ta)，42W(Tc)

　　典型应用

　　电源转换：DC-DC/AC-DC模块

　　电机驱动：无人机/机器人控制器

　　快充设备：65W USB PD充电器

深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品，欢迎咨询了解。

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