Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

发布时间:2026-02-25 09:57:09     浏览:253

  Onsemi NTTFS6H860NL是一款针对高效能电源管理应用优化的N沟道功率MOSFET器件,特别适合空间受限的现代电子设备设计。其核心竞争力体现在将80V耐压能力与极低导通电阻(最低16.5mΩ)集成于业界领先的3.3mm×3.3mm微型封装中,为设计工程师提供了功率密度与能效的完美平衡方案。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

  关键规格参数

  漏源击穿电压(V(BR)DSS):80V

  连续漏极电流(ID):30A

  最大导通电阻(RDS(on)):20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ

  最大栅源电压(VGS):±20V

  脉冲漏极电流(IDM):122A

  工作温度范围:-55至+175°C

  尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)

  功率耗散(最大值):3.1W(Ta),42W(Tc)

  典型应用

  电源转换:DC-DC/AC-DC模块

  电机驱动:无人机/机器人控制器

  快充设备:65W USB PD充电器

深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品,欢迎咨询了解。

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