Semelab D2002UK射频功率MOSFET晶体管

发布时间：2026-02-05 09:04:10 浏览：492

　　D2002UK 是 Semelab(现隶属于 TT Electronics) 推出的一款 N 沟道射频功率 MOSFET(DMOS)，主要用于射频功率放大与发射应用，适合中低功率、宽频段的 RF 设计需求。

　　主要参数概览

　　基本信息

　　器件类型：射频功率 MOSFET

　　极性：N-Channel(增强型)

　　品牌 / 厂商：Semelab / TT Electronics

　　型号：D2002UK

　　封装形式：DP 陶瓷法兰封装

　　安装方式：螺钉固定，表贴/法兰安装

　　电气特性(典型值)

　　漏极-源极击穿电压(VDS)：约 65 V

　　连续漏极电流(ID)：约 2 A

　　最大栅源电压(VGS)：±20 V

　　栅极阈值电压(VGS(th))：约 1 – 7 V

　　射频输出功率：约 5 W(连续波 CW)

　　功率增益：约 13 dB

　　工作频率范围：DC ～ 1 GHz

　　最大功耗：约 29 W

　　热学与机械特性

　　结到壳热阻(RθJC)：约 6 °C/W

　　工作温度：最高可达约 150 °C(壳温)

　　典型尺寸：约 18.9 × 6.35 × 5.08 mm

　　典型应用

　　D2002UK 广泛应用于中低功率射频场景，包括但不限于：

　　VHF / UHF 射频功率放大器

　　无线通信发射模块

　　工业射频设备

　　测试与仪表类 RF 放大单元

　　产品特点总结

　　覆盖 DC–1GHz 的宽频工作能力

　　5W 级射频输出功率，适合驱动级或小功率末级

　　陶瓷法兰封装，散热性能好、可靠性高

　　适合通信、工业及专业射频应用

Semelab公司是一家专注于高可靠性半导体器件的制造商，提供功率半导体、RF MOSFET等产品，深圳市立维创展科技有限公司优势提供Semelab产品线，欢迎咨询了解。

上一篇: J500系列电流调节二极管Linear Integrated Systems

下一篇: Vishay 597D337X0020H2T 超低 ESR 固钽电容