BSS52 TO-39封装NPN达林顿晶体管Solitron Devices

发布时间：2025-10-14 08:59:41 浏览：895

　　Solitron Devices BSS52是一款 NPN 达林顿晶体管，专为工业高增益放大器设计，具有高电流、低电压特性，并集成二极管和电阻。它是飞利浦(Philips)的第二来源产品，采用 TO-39 金属封装，适用于严苛的工业环境。

Solitron Devices BSS52 NPN达林顿晶体管

　　关键特性

　　高电流能力：连续集电极电流 1A，峰值可达 2A。

　　高电压耐受：

　　集电极-发射极电压(VCES)80V

　　集电极-基极电压(VCBO)90V

　　集成保护：内置二极管和电阻，简化电路设计。

　　高直流增益(hFE)：

　　典型值 1000~2000(VCE=10V, IC=150mA~500mA)。

　　热稳定性：

　　结温(Tj)范围 -65°C 至 +200°C。

　　热阻：结到环境(Rth j-a)220K/W，结到外壳(Rth j-c)35K/W。

　　极限参数

　　集电极-基极电压(VCBO):90V

　　集电极-发射极电压(VCES):80V

　　发射极-基极电压(VEBO):5V

　　集电极电流(IC)：1A(连续), 2A(峰值)

　　功耗(Ptot)：0.8W(环境25°C) / 5.0W(外壳25°C)

　　电气特性(Typical @25°C)

　　饱和压降：

　　VCE(sat): 1.3V(IC=500mA, IB=0.5mA)

　　VBE(sat): 1.65V(IC=500mA)

　　开关性能：

　　开启时间(ton): 1μs(IC=500mA)

　　关断时间(toff): 5μs(IC=1A)

　　截止电流：

　　集电极漏电流(ICES): 50nA(VCE=80V)

　　封装尺寸：TO-39封装，直径12.7~14.2mm，高度 6.22~6.60mm。

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