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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ​IR-HiRel​氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  英飞凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率器件 2023-12-28 10:52:52

  英飞凌650 V CoolMOS CFD7 MOSFET IPW65R029CFD7扩展了 CFD7 系列的电压等级产品，是 650 V CoolMOS™™ CFD2 的后继产品。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换向鲁棒性。